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首頁(yè) AbraconCrystal晶振

Abracon晶振,圓柱晶振,AB26T晶振

Abracon晶振,圓柱晶振,AB26T晶振Abracon晶振,圓柱晶振,AB26T晶振

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2*6mm表晶32.768K系列具有超小型,質(zhì)地輕的表面插件型音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

產(chǎn)品詳情

Abracon-1

奧斯汀,得克薩斯州,Abracon LLC(Abracon),全球領(lǐng)先的制造商被動(dòng)&機(jī)電時(shí)間同步,權(quán)力,連通性和射頻解決方案宣布音頻和視頻解決方案指南強(qiáng)調(diào)產(chǎn)品適合使用者應(yīng)用程序如機(jī)頂盒,虛擬現(xiàn)實(shí),便攜式音頻、視頻/電話會(huì)議,耐磨,物聯(lián)網(wǎng),無(wú)人機(jī),相機(jī)/攝像機(jī)、顯示器和高保真音頻以及專業(yè)應(yīng)用,如音頻混合器,唱片的質(zhì)量接收器,廣播工作室相機(jī)等設(shè)備,路由器和轉(zhuǎn)換器使用SDI,HD-SDI和3 g HD-SDI。
Abracon工程副總裁Syed Raza評(píng)論說(shuō):“半導(dǎo)體技術(shù)致力于將所有的功耗從最新一代的MCU和RF芯片組中扭轉(zhuǎn)出來(lái),芯片上的皮爾斯振蕩器缺乏必要的增益,對(duì)gm_critical指標(biāo)產(chǎn)生不利影響。 PAS測(cè)試是診斷可預(yù)防問(wèn)題的最可靠的方法。“

JLX-1

Abracon-2

ABRACON晶振,圓柱晶振,AB26T晶振,來(lái)自美國(guó)晶體品牌的一顆2*6mm音叉型插件圓柱晶振,在市場(chǎng)上非?;钴S,是應(yīng)用范圍廣泛的一種32.768KHz晶振,除此之外,AB26T晶振的頻率范圍可從32KHz~100KHz之間可任意選擇一個(gè)頻率,適應(yīng)性好,2*6mm的插件晶體元器件因?yàn)閮r(jià)格普通較低,因此仍有非常多的生產(chǎn)廠家在使用.
對(duì)于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的 UM-1),會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.


JLX-2

RB-2

ABRACON晶振

單位

AB26T晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40°C+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-10°C+60°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

1.0μW Max.

推薦:1μW100μW

頻率公差

f_— l

±20 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn))

+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.jftz888.com/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C+70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

12.5pF

不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3 × 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

AB26T 6.2-2.1

JLX-4

RB-4

操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。ABRACON晶振,圓柱晶振,AB26T晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過(guò)多驅(qū)動(dòng)力,會(huì)導(dǎo)致石英晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率 (請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加(請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過(guò)強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。

JLX-5

RB-5

輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表

scbx_1

2.測(cè)試條件
(1)電源電壓
超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。)ABRACON晶振,圓柱晶振,AB26T晶振

scbx_2

3.測(cè)試電路

scbx_3

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