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首頁 微晶晶振

瑞士微晶晶振,貼片晶振,CC2A-T1A晶振

瑞士微晶晶振,貼片晶振,CC2A-T1A晶振瑞士微晶晶振,貼片晶振,CC2A-T1A晶振

產(chǎn)品簡介

超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.低頻晶振可從10MHz起對應(yīng),小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性.

產(chǎn)品詳情

WJ-1

微晶,1978年成立于瑞士格倫興,為Swatch Group的供貨商,提供手表音叉式晶體的產(chǎn)品。微晶在瑞士、泰國建有生產(chǎn)中心,及遍布世界各地的代表處。我們所有的產(chǎn)品都得到ISO9001和ISO14001的認(rèn)證,并達(dá)到RoHS,REACh等規(guī)范的要求。而今,微晶已經(jīng)發(fā)展成為一家在微型音叉式石英晶體(32kHz ~ 250MHz)、實時時鐘模塊、溫補晶振和OCXO等多個領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)供貨商。
微晶的管理團隊以及領(lǐng)導(dǎo)的工作人員。職位提供了一個積極的例子,在所有領(lǐng)域的質(zhì)量行為。公司。他們激勵員工始終如一地思考問題。質(zhì)量與成本。全球約550個員工的責(zé)任感和奉獻(xiàn)精神是我們成功的基石。我們對管理、環(huán)境、社會責(zé)任都有明確的行為準(zhǔn)則(比如對有爭議的原材料的問題上),這些是我們在未來保持競爭優(yōu)勢的主要原因。
JLX-1

WJ-2

微晶晶振,英水晶振動子,CC1A-T1A晶振.小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領(lǐng)域.可對應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計,滾筒的曲率半徑,滾筒的長短,使用的研磨砂的型號,多少,填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定.

JLX-2

RB-2

微晶晶振

單位

CC1A-T1A晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

8.000MHZ~30.000MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C+85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

100/500μW Max.

推薦:1μW100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn))

+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.jftz888.com/

頻率溫度特征

f_tem

±50 × 10-6/-20°C+70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

20PF

不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

CC1A-T1A 8037

JLX-4

RB-4

操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。微晶晶振,壓電石英晶體諧振器,CC2A-T1A晶振
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致進(jìn)口石英晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致音叉晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容)。
JLX-5

RB-5設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示瑞士進(jìn)口晶振的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

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2.振蕩補償
除非在5032mm無源晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

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3. 負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致5032貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。微晶晶振,壓電石英晶體諧振器,CC2A-T1A晶振

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頻率和負(fù)載電容特征圖器

sjzrhl_4

振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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