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首頁(yè) KDS晶振

KDS晶振,貼片晶振,DSX321SL晶振,SMD石英晶振

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

3225mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無(wú)線(xiàn)數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無(wú)線(xiàn)通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無(wú)線(xiàn)數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無(wú)鉛.

產(chǎn)品詳情

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日本大真空株式會(huì)社,天津KDS作為一個(gè)最重要的環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的管理政策,通過(guò)與環(huán)境的和諧企業(yè)活動(dòng),KDS集團(tuán)將有助于創(chuàng)造社會(huì)發(fā)展得以持續(xù).晶振應(yīng)用產(chǎn)品的開(kāi)發(fā),在該地區(qū)的所有的生產(chǎn)業(yè)務(wù),KDS集團(tuán),將促進(jìn)對(duì)全球環(huán)保事業(yè)的承諾. 1:努力減少石英晶體諧振器有害物質(zhì)的妥善管理,為客戶(hù)提供環(huán)保產(chǎn)品. 2:對(duì)于預(yù)防環(huán)境污染和資源的有效利用,我們將妥善處置廢物排放量,再利用和回收工作. 3:防止全球變暖,我們將努力減少二氧化碳排放量和節(jié)約能源活動(dòng). 4:我會(huì)遵守我們的其他環(huán)境法律,標(biāo)準(zhǔn),協(xié)議同意的要求. 5.進(jìn)行定期審查,以設(shè)置基于這種環(huán)境政策的環(huán)境目標(biāo)和指標(biāo),以及促進(jìn)活動(dòng),我們會(huì)努力,不斷提高環(huán)境管理體系.6:著名的人將要從事的活動(dòng)組及全體員工的環(huán)保政策給大家,我們將通過(guò)宣傳活動(dòng),教育和培訓(xùn)工作,提高意識(shí)和環(huán)保意識(shí). 7:我會(huì)公布的環(huán)境保育活動(dòng)有關(guān)的信息.
大真空晶振特點(diǎn):適合應(yīng)用一些高端產(chǎn)品,比如智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線(xiàn)通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求.
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KDS-2

KDS晶振,貼片晶振,DSX321SL晶振,SMD石英晶振,為什么越來(lái)越多的晶體企業(yè)都著手向汽車(chē)電子市場(chǎng)進(jìn)軍呢,然而汽車(chē)電子的要求也比科技數(shù)碼產(chǎn)品高的多,特別是耐溫這塊,都有一定的要求值,比如:3225mm體積貼片晶振適用于汽車(chē)電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴(lài)性最適合用于汽車(chē)電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
無(wú)源晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì):石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體元器件來(lái)講作用是1.改變頻率;2.往外界引出電極;3.改變電阻;4.抑制雜波。第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單,第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵,電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(lèi)(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大,故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求。
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RB-3

KDS晶振

符號(hào)

DSX321SL晶振

基本信息對(duì)照表

Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

13~60MHz


儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40°C ~+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C ~+85°C

KDS晶振特定的溫度

激勵(lì)功率

DL

0.5μW (1.0μW Max.)

如你有最大激勵(lì)功率為1.0μW需求,請(qǐng)聯(lián)系我們金洛電子

精度

f_— l

±10,±20,±30,±50ppm

如有需要更高的精度可以特定.

拐點(diǎn)溫度

Ti

+25°C ±5°C



負(fù)載電容

CL

8pF,10pF,12pF

可按客戶(hù)需求指定

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

70kΩ Max.

70kΩ —45kΩ

頻率老化

f_age

±3 ×10-6/ year Max.

+25°C,第一年

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RB-3

DSX321SL 3225JLX-4

RB-4

我們可以改善的頻率輸出的偏差超過(guò)范圍由以下幾個(gè)方法:調(diào)整外部電容,Cd和CG的值。如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量頻率比目標(biāo)頻率高,要增加外部電容CL(或Cd以及C 8的值),以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率,反之亦然??梢圆捎貌煌?fù)載電容(CL)的進(jìn)口晶體諧振器試用。 試用晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話(huà)。請(qǐng)檢查波形幅度是否是正?;虿皇褂檬静ㄆ鳎_的電容是通過(guò)和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮,由于增加外部電容,請(qǐng)使用方法2調(diào)整頻率(較低的外部電容,并采用低電容的晶體)的情況。頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。下面的曲線(xiàn)表示晶體的電阻的特征:KDS晶振,貼片晶振,DSX321SL晶振,SMD石英晶振

20180607084508

晶振具有多種振動(dòng)模式,如基頻, 3次泛音,5次泛音等等。當(dāng)基頻模式應(yīng)用時(shí),晶振的電阻是最低的,這意味著它是最簡(jiǎn)單的石英晶體振蕩器。當(dāng)?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用,一個(gè)放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。因此,如果頻率是只有三分之一的目標(biāo)頻率時(shí),要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了,因?yàn)殡娐返沫h(huán)境適合于基本模式,而不是第三次泛音調(diào)模式。該電路可能不振蕩,如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的。4-3?;l模式與三次泛音模式應(yīng)用程序如下: 一。的基頻模式B應(yīng)用。三次泛音模式的應(yīng)用程序

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下表顯示升的匹配值,C由各種頻率三次泛音模式石英晶振頻率輸出是目標(biāo)頻率的三倍這個(gè)問(wèn)題的可能性相對(duì)較小。請(qǐng)確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式,由于放大電路的反饋大。當(dāng)放大電路內(nèi)置于芯片組此問(wèn)題可能會(huì)發(fā)生。為了解決這個(gè)問(wèn)題,請(qǐng)采用三次泛音模式晶振。

20180607084536JLX-5

RB-5

負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。3225貼片晶振電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。KDS晶振,貼片晶振,DSX321SL晶振,SMD石英晶振

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測(cè)試條件:(1) 電源電壓? 超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他:? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用32252石英晶體諧振器微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線(xiàn)。)

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振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)進(jìn)口3225晶振負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類(lèi)型,無(wú)線(xiàn)電話(huà)石英晶體頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器(C1,C2)。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類(lèi)型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。

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