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首頁 鴻星晶振

鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振

鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振

產(chǎn)品簡介

小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領(lǐng)域.可對應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

產(chǎn)品詳情

HX-2

杭州鴻星電子有限公司于1979年成立,產(chǎn)品由專業(yè)電阻器、電容器制造廠,公元1991年于臺灣投入石英晶體之研發(fā)制造、1991年開始于中國大陸拓展生產(chǎn)基地,至今擁有四處生產(chǎn)基地、九處營銷及FAE據(jù)點及十個營銷代表處。鴻星的核心精神:誠信負責(zé)、團隊合作、專業(yè)創(chuàng)新、積極成長。HOSONIC以先進技術(shù)、優(yōu)異質(zhì)量、完善服務(wù),成為晶體產(chǎn)業(yè)最具競爭優(yōu)勢的品牌。
優(yōu)秀同仁是公司無價的資產(chǎn),也是公司成長發(fā)展的伙伴,更是維系公司競爭力與創(chuàng)造價值的命脈。在以人為本,充分尊重人性的理念上,我們以溝通來達成共識,以相互尊重維系組織和諧氣氛,創(chuàng)造適性的工作環(huán)境,讓鴻星成為一個高度凝聚力的大家庭。我們要求同仁自我管理,并不斷的成長進步,讓員工有能力于工作,意愿于工作并滿意于工作,鼓勵員工去達成公司指定的目標(biāo)。

JLX-1

HX-1

鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振.2016mm封裝四腳SMD型的晶振,可以說是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無線通訊系統(tǒng),無線局域網(wǎng),具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
鴻星石英晶振曲率半徑加工技術(shù):石英晶體諧振器晶片在球筒倒邊加工時應(yīng)用到的加工技術(shù),主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計可使用的方法。如:1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計( a、球面的余弦磨量; b、球面的均勻磨量;c、球面加工曲率半徑的配合)2、在加工時球面測量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計原則(曲率半徑公式的計算)。

JLX-2

RB-2

鴻星晶振

單位

E1SB晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

16.000MHZ~62.200MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-30°C ~+85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

50μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±10 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)),
(±10 × 10-6~
±30 × 10-6可用)

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.jftz888.com/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-30°C ~+85°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

8pF~16pF

不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C — +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±2× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

E1SB(Former HCX-1AB) 2016

JLX-4

RB-4

操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用進口晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致無源晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?(請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容)。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容)。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致SMD晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容)。鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振

JLX-5

RB-5

設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明2016晶振單元所需電功率,其計算公式如下:
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

sjzrhl_1

2.振蕩補償
除非在25M無源SMD晶體振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負極電阻。

sjzrhl_2

3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導(dǎo)致四腳無源晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。鴻星晶振,石英晶振,E1SB晶振

sjzrhl_3

頻率和負載電容特征圖器

sjzrhl_4

振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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