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TCXO溫補晶振,GTXO-83T,高利奇振蕩器,GTXO-83T/GS-12.288MHz,5032貼片晶振

在對頻率穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的電子設(shè)備領(lǐng)域，高利奇晶振的 GTXO - 83T/GS - 12.288MHz 溫補晶振（TCXO）猶如一顆穩(wěn)定的“心臟”。它采用 5032 貼片晶振封裝，這種小巧的設(shè)計適應(yīng)了現(xiàn)代電子設(shè)備小型化、集成化的發(fā)展趨勢，能輕松融入各類緊湊的電路板中。

作為 TCXO 溫補晶振，其核心優(yōu)勢在于先進的溫度補償技術(shù)。電子設(shè)備工作時，環(huán)境溫度的變化會對晶振頻率產(chǎn)生顯著影響，而 GTXO - 83T 能實時感知溫度變化，并迅速調(diào)整輸出頻率，確保 12.288MHz 的頻率始終精準(zhǔn)穩(wěn)定。

它的穩(wěn)定性和抗干擾能力十分出色，即使在復(fù)雜的電磁環(huán)境和溫度波動較大的情況下，也能為設(shè)備提供可靠的時鐘信號。無論是在通信基站保障信號精準(zhǔn)傳輸，還是在衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)確保定位精確，GTXO - 83T有源晶振都能憑借卓越性能，保障設(shè)備穩(wěn)定運行。

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tp22png TCXO溫補晶振,GTXO-83T,高利奇振蕩器,GTXO-83T/GS-12.288MHz,5032貼片晶振

頻率范圍	9.5 ~ 45.0兆赫
尺寸	5.0 x 3.2 x 1.15 毫米
儲存溫度范圍	-40 至 +85°C
電源電壓穩(wěn)定性	±0.2 頁/分鐘DD 系列±5%
負(fù)載穩(wěn)定性	±0.2 頁/分鐘L±10%
老化	第一年最高 ±1.0ppm
電源電壓（VDD 系列)	+2.4V ~ +3.6V
電源電流（max）	1.5mA （9.5 ~ 20.0MHz）
	2.0mA （20.0 ~ 32.0MHz）
	2.5mA （32.0 ~ 45.0MHz）
輸出波形	削波正弦，0.8V p-p，+DC 偏移
試驗載荷（ZL)	10kΩ // 10pF
啟動時間	最大 3ms
相位噪聲（典型值 @ 20.0MHz）	-54dBc/Hz @ 1Hz
	-86dBc/Hz @ 10Hz
	-135dBc/Hz @ 1kHz
	-151dBc/Hz @ 100kHz
頻率容差 @ 25°C	最大 ±2.0ppm，回流焊后 60 分鐘

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tp33 TCXO溫補晶振,GTXO-83T,高利奇振蕩器,GTXO-83T/GS-12.288MHz,5032貼片晶振

TCXO溫補晶振,GTXO-83T,高利奇振蕩器,GTXO-83T/GS-12.288MHz,5032貼片晶振

所有石英晶振產(chǎn)品的共同點
抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。