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首頁 Fortiming晶振

富通晶振,VC75A-48M000-ABB3,7050mm壓控晶振,6G基站晶振

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產(chǎn)品簡介

富通晶振,VC75A-48M000-ABB3,7050mm壓控晶振,6G基站晶振,富通晶振,VC75A進(jìn)口壓控晶振,石英晶振,VC75A-48M000-ABB3晶振,有源晶振,晶體振蕩器,7050mm晶振,六腳貼片晶振,SMD晶振,頻率48MHz,電壓5.0V,頻率穩(wěn)定性25ppm,工作溫度-40~85°C,高穩(wěn)定性晶振,高品質(zhì)晶振,低老化晶振,6G基站晶振,數(shù)據(jù)中心晶振,高速轉(zhuǎn)換器晶振,移動通信晶振.

產(chǎn)品詳情

ConnorWinfield-1富通晶振,VC75A-48M000-ABB3,7050mm壓控晶振,6G基站晶振,富通晶振,VC75A進(jìn)口壓控晶振,石英晶振,VC75A-48M000-ABB3晶振,有源晶振,晶體振蕩器,7050mm晶振,六腳貼片晶振,SMD晶振,頻率48MHz,電壓5.0V,頻率穩(wěn)定性25ppm,工作溫度-40~85°C,高穩(wěn)定性晶振,高品質(zhì)晶振,低老化晶振,6G基站晶振,數(shù)據(jù)中心晶振,高速轉(zhuǎn)換器晶振,移動通信晶振.

富通晶振,VC75A-48M000-ABB3,7050mm壓控晶振,6G基站晶振特點(diǎn):

-符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)(無鉛),寬頻率拉拔范圍

-極低相位抖動與基本晶體設(shè)計(jì),5 VDC或3.3 VDC選項(xiàng)

-無鉛芯片載體(LCC)超小型封裝與行業(yè)事實(shí)上的標(biāo)準(zhǔn)足跡

-可選在引腳#2 (VC75A)或引腳#5 (VC75B)上啟用/禁用控制

高端數(shù)碼電子諧振器,8045陶瓷殼2P晶振,NX8045GE晶振

富通晶振,VC75A-48M000-ABB3,7050mm壓控晶振,6G基站晶振規(guī)格表

項(xiàng)目 規(guī)格說明
額定頻率 48MHz
輸入電壓 +5.0 VDC ±5%
輸入電流 30 mA Maximum
儲存溫度 -55°C to 125°C
頻率穩(wěn)定度/ APR (Min) ±25 / ±50 ppm
工作溫度 -40℃~ +85℃
占空比 Tristate 55/45% symmetry
輸出負(fù)載 HCMOS: drive up to 15 pF load; TTL: drive up to 10 TTL gates
邏輯“1”/邏輯“0”電平 0.9Vcc Minimum / 0.1Vcc Maximum
上升/下降時(shí)間(Tr/Tf)
5 ns Maximum at 20% to 80% Vp-p
啟動時(shí)間 10 ms Maximum
相位抖動(RMS, 1 Sigma)
1 ps Maximum for fj > 1kHz; 0.4 ps Typical for fj = 12KHz to 20MHz
啟用/禁用時(shí)間
Enable: 2 ms Max; Disable: 200 ns Max
高端數(shù)碼電子諧振器,8045陶瓷殼2P晶振,NX8045GE晶振

富通晶振,VC75A-48M000-ABB3,7050mm壓控晶振,6G基站晶振尺寸圖

VC75-1

VC75-2

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