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首頁 愛普生晶振

EPSON晶體,壓控晶振,VG-4231CB晶振,X1G0028610002晶振

EPSON晶體,壓控晶振,VG-4231CB晶振,X1G0028610002晶振EPSON晶體,壓控晶振,VG-4231CB晶振,X1G0028610002晶振

產(chǎn)品簡介

5032mm體積的貼片振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)自動焊盤,及IR回流焊盤(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

產(chǎn)品詳情

愛普生貼片式石英晶振振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是數(shù)碼映像領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè).愛普生集團(tuán)通過富有創(chuàng)新和創(chuàng)造力的文化,提升企業(yè)價值,致力于為客戶提供數(shù)碼影像創(chuàng)新技術(shù)和解決方案.愛普生拓優(yōu)科夢是一家專業(yè)從事石英晶體元件的廠商,愛普生拓優(yōu)科夢(Epson — yocom)運(yùn)用長年積累的培育人工石英貼片晶振以及以加工為代表的、實(shí)現(xiàn)精微化、高精度、高品質(zhì)的綜合技術(shù),提出“3D戰(zhàn)略”究極應(yīng)用石英特性而制造的三大元器件:定時元器件、傳感元器件、光學(xué)元器件.

EPSON晶體,壓控晶振,VG-4231CB晶振,X1G0028610002晶振,有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊盤(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.

晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。

愛普生晶振規(guī)格

VG-4231CB晶振

驅(qū)動輸出

CMOS

常用頻率

1~81MHZ

工作電壓

+3.3V(代表値)
電源電圧は+1.7V+3.3V範(fàn)囲の任意の電圧で動作可能

靜態(tài)電流

(工作時)+1.2 mA max. (F15MHz)+1.4 mA max. (15F26MHz)
+1.6 mA max. (F26MHz)(スタンバイ時)+1μA以下

TCXO輸出電壓

0.8Vp-p min.

TCXO輸出負(fù)載

10kΩ//10pF) ±10

常規(guī)溫度偏差

±20/30/50×10-6(After 2 reflows)

頻率溫度偏差

±30×10-6/-40℃~+85

±50×10-6/-55℃~+125℃(オプション)

愛普生日產(chǎn)有源壓控兆赫茲晶振型號列表:

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency Frequency stability
Rearranges Rearranges Rearranges,Rearranges,Rearranges,Rearranges
LxWxH
Output Wave Frequency Control Range
Rearranges Rearranges
Temperature
Frequency tolerance
Rearranges Rearranges
25°C Aging
I[Max]
VG-4231CB 54.000000 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
VG-4231CB 57.272727 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
VG-4231CB 56.750000 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
VG-4231CB 57.000000 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
VG-4231CB 27.000000 MHz GGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -40 to 85 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
VG-4231CB 16.111888 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
VG-4231CB 24.545454 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
愛普生日產(chǎn)有源壓控兆赫茲晶振編碼列表:

Rearranges Rearranges Rearranges Rearranges
Product Number
Model Frequency Frequency stability
Rearranges Rearranges Rearranges,Rearranges,Rearranges,Rearranges
LxWxH
Output Wave Frequency Control Range
Rearranges Rearranges
Temperature
Frequency tolerance
Rearranges Rearranges
25°C Aging
I[Max]
X1G0028610002 VG-4231CB 54.000000 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
X1G0028610003 VG-4231CB 57.272727 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
X1G0028610004 VG-4231CB 56.750000 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
X1G0028610005 VG-4231CB 57.000000 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
X1G0028610007 VG-4231CB 27.000000 MHz GGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -40 to 85 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
X1G0028610008 VG-4231CB 16.111888 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA
X1G0028610009 VG-4231CB 24.545454 MHz JGCZ 5.00 x 3.20 x 1.20 mm CMOS +/-100 ppm -20 to 70 °C +/-50 ppm Included in frequency tolerance ≤ 10 mA

VG-4231CB 5032

所有石英振蕩器和實(shí)時時鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。未用輸入終端的處理:未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。EPSON晶體,壓控晶振,VG-4231CB晶振,X1G0028610002晶振

同時,當(dāng)P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。

5032晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時,請重新檢查安裝條件。同時,在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。

晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。EPSON晶體,壓控晶振,VG-4231CB晶振,X1G0028610002晶振

適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過六腳石英晶振測量振蕩電路的特性來確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。

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測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量壓控石英晶體振蕩器頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時,可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).

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此外,振蕩頻率與測量點(diǎn)不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過超小型SMD晶振電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點(diǎn)和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。

20181212163831

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