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ACT英國(guó)晶振,1210SMX-4低損耗晶振,CAS2000GKLGOL‐PF[20.000MHz]晶振

頻率：32~60MHZ

尺寸：1.2*1.0mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)榫д癖旧硇⌒突枨蟮氖袌?chǎng)領(lǐng)域,小型,薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷振蕩器(偏差大)和普通的石英晶體振蕩器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

ACT與Esterline研究和設(shè)計(jì)（ERD）的合作使我們能夠突破高精度振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為貼片石英晶振，TCXO和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn)，創(chuàng)造了當(dāng)今市場(chǎng)上性能最高，最精確的振蕩器技術(shù)。
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ACT英國(guó)晶振,1210SMX-4低損耗晶振,CAS2000GKLGOL‐PF[20.000MHz]晶振，貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因?yàn)?a href="http://www.jftz888.com/" title="晶振" target="_blank">晶振本身小型化需求的市場(chǎng)領(lǐng)域,小型,薄型是對(duì)應(yīng)陶瓷振蕩器(偏差大)和普通的石英晶體振蕩器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。 ACT英國(guó)晶振,1210SMX-4低損耗晶振,CAS2000GKLGOL‐PF[20.000MHz]晶振.

Parameters		Specification	Remarks
Frequency	F_nom	32.0MHz ~ 60.0MHz	AT cut, Fundamental
Frequency tolerance	F_tol	±10.0ppm ~ ±50.0ppm	@ 25°C
Frequency stability over operating temperature range	F_stb	±10.0ppm ~ ±50.0ppm	Table 2
Operating temperature range	T_use	‐10°C ~ +60°C, 20°C ~ +70°C , ‐30°C ~ +85°C,	Table 2
Storage temperature	T_stg	‐40°C ~ 85°C
Load capacitance	CL	7.0pF ~ 12.0pF
Equivalent series resistance	ESR	Table 1
Shunt capacitance	C0	3.0pF max
Drive level	DL	50μW max
Frequency aging	F_age	±2.0ppm	@ 25°C, 1?? Year
Moisture sensitivity level	MSL	1 (unlimited)
Electrostatic discharge	ESD	Not applicable
Insulation resistance	IR	500MΩ min	@ 100V DC

抗沖擊
  晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
  暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD無源晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）ACT英國(guó)晶振,1210SMX-4低損耗晶振,CAS2000GKLGOL‐PF[20.000MHz]晶振.
鹵化合物
  請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。