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TCME32溫補(bǔ)晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振

頻率:32.768KHZ

尺寸:3.2*2.5mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
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         TCME32溫補(bǔ)晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振,自1986年以來,ACT艾西迪晶振 - 以前的高級(jí)晶體技術(shù) - 已發(fā)展成為高性能頻率控制石英晶體產(chǎn)品的領(lǐng)先設(shè)計(jì)合作伙伴。通過新的合作伙伴關(guān)系定制頻率解決方案,我們與Esterline研究和設(shè)計(jì)(ERD)的合作使我們能夠突破高精度貼片振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為TCXO和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn),創(chuàng)造了當(dāng)今市場(chǎng)上性能最高,最精確的振蕩器技術(shù)。
        TCME32溫補(bǔ)晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振,無論您需要新技術(shù),如M-SAC增強(qiáng)型貼片振蕩器,還是簡單的基本SMD晶振,我們的工程團(tuán)隊(duì)都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案,并在整個(gè)設(shè)計(jì)周期和生產(chǎn)過程中為您提供支持。

         ACT艾西迪晶振公司除了石英水晶組件,同時(shí)量產(chǎn)LC濾波器,SAW,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,時(shí)鐘晶振,溫補(bǔ)晶振和天線等產(chǎn)品,但頻率元件一直都是艾西迪晶振公司最重要的模塊,除此之外,陶瓷諧振器,無源晶振等都深受各大知名企業(yè)的歡迎

       TCME32溫補(bǔ)晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

     Parameters  Specification Remarks
Frequency F_nom 32.768kHz
Supply voltage Vcc 1.8V, 2.5V, 3.0V, 3.3V, 5.0V ±5% voltage change,  ±10% for  5V
Supply voltage variation 0.25V max ?V/?T = 1V/us
 Initial frequency tolerance F_tol ±1.5ppm max At +25°C±3°C
Frequency stability vs Temperature F_stb ±5.0ppm
vs Load change F_load ±0.2ppm max ±10% load condition change
vs Voltage change F_Vcc ±0.2ppm max ±5% input voltage change
vs Aging F_age ±3.0ppm/year max At +25°C
vs Reflow ±1.0ppm/year max 1 reflow and measured after 24hrs
vs all range Vcc ±1.0ppm/volt max Vcc = 1.7V to 5.5V
Operating temperature range (°C) Topr ‐40°C ~ +85°C Table 1
Storage temperature (°C) Tstg ‐55°C ~ +85°C
Output waveform HCMOS
Output load 15pF
Output voltage high Voh Vcc  0.4V min. Ioh = ‐0.1mA For all Vcc range
Output  voltage low Vol 0.4V max. Iol = 0.1mA For all Vcc range
Current consumption Icc 0.79 μA ~ 2.05μA Table 2
Rise and fall time Tr, Tf 100ns max 20% to 80% of waveform
Duty cycle SYM 40%/60% typical Measured at 50% Vcc
Start‐ up time T_str 1.0 sec max at 25°C 3.0 sec max at ‐40°C~+85°C
Pad 1 OE thresholds Vih = 0.8Vcc, Vil = 0.2Vcc
Timing error over time   ±0.432sec/day For ±5ppm over ‐40°C ~ +85°C
Note: The device is ESD sensitive and moisture sensitive level (MSL)  1

TCME32 尺寸

焊接和超聲波清洗
        晶振的焊接溫度條件是旨在允許同時(shí)處理其他電子元件,但取決于產(chǎn)品類型條件可能受到限制。確認(rèn)使用前的條件。基本上,超聲波清洗助焊劑允許,但在某些情況下,與振蕩共振超聲波清潔器的頻率可能會(huì)導(dǎo)致晶體單元的特性惡化。請(qǐng)檢查所有清潔前的條件。
腐蝕性物質(zhì)的影響
        當(dāng)SMD晶振單元接觸鹽或腐蝕性材料或長期暴露于某些物質(zhì)這可能是氯化物或硫化物氣體等氣氛造成嚴(yán)重的缺陷,例如包裝失去其密封性由于腐蝕。選擇粘合劑或灌封時(shí)要特別小心用于晶體單元周邊的試劑。TCME32溫補(bǔ)晶振,艾西迪歐美晶振,TC32M00003FBBNEXXSL-PF[32.768KHz]晶振.
安裝引線安裝型晶體單元
        (1)在PC板上安裝一個(gè)壓電石英晶體單元,使其高度單位低于其他部分;這樣可以防止
由于沖擊引起的破損引起的支架式玻璃上方。玻璃破碎可能會(huì)影響氣密性密封導(dǎo)致性能下降。
        (2)安裝鉛封式晶體單元時(shí)使用PC板,PC上的孔之間的距離電路板應(yīng)該等于端子之間的距離晶體單元安裝。螺距中最輕微的誤差可能會(huì)導(dǎo)致玻璃裂縫水晶單元支架的一部分。
        (3)安裝引線型晶體單元時(shí),我們建議設(shè)備應(yīng)與PC聯(lián)系電路板和焊接方式,以防止疲勞和由于機(jī)械共振引起的引線斷裂。
        (4)在PC板上安裝貼片石英晶振后,移動(dòng)單元使支架基底玻璃破裂導(dǎo)致特性惡化。別動(dòng)了這樣的水晶單元。

TCME32 11

JLX-6

RB-6

wxewm

公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司

聯(lián)系人:茹紅青

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JLX-PD

金洛鑫產(chǎn)品系列

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