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NDK為高通公司研發(fā)的熱敏晶振NX1612SD實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)!
NDK為高通公司研發(fā)的熱敏晶振NX1612SD實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)!
據(jù)NDK發(fā)布公告稱,最新實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的這款熱敏晶振NX1612SD是為美國(guó)高通公司將用于5G智能手機(jī)的芯片的專供產(chǎn)品;從年初至目前為止,NDK在5G用有源晶振方面幾乎上投入了一半以上的精力,當(dāng)然,其成果也是顯著的,期間推出了多款可用于5G基站或是5G通信模塊的產(chǎn)品以及按5G的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)多款產(chǎn)品進(jìn)行了性能更新.
于6月開始在76.8MHz批量生產(chǎn)帶有內(nèi)置熱敏電阻(NDK部件號(hào):EXS00A-CS12311)的晶體單元,以及NX1612SD(1.6×1.2×0.65mm尺寸).可見這款產(chǎn)品NDK目前只是實(shí)現(xiàn)了76.8M的量產(chǎn).據(jù)NDK介紹,這款晶振產(chǎn)品是供給高通公司并用于5G智能手機(jī)的移動(dòng)平臺(tái)芯片上.
隨著移動(dòng)通信向5G的轉(zhuǎn)變,芯片組中使用的時(shí)鐘源頻率的增加導(dǎo)致對(duì)低相位噪聲的需求不斷增加.特別地,為了處理諸如毫米波之類的載波頻帶,存在以下?lián)鷳n:內(nèi)部倍增器數(shù)量的增加將導(dǎo)致較高的噪聲分量,從而由于劣化而導(dǎo)致接收靈敏度劣化和通信效率劣化.調(diào)制精度(信號(hào)相位和幅度偏移)的關(guān)系.
作為對(duì)策之一,通過將裝置內(nèi)部的基準(zhǔn)振蕩源設(shè)為38.4MHz?76.8MHz的較高頻率,通過降低倍頻來改善相位噪聲.為了實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的降噪,除了增加頻率之外,還必須提高晶體諧振器的驅(qū)動(dòng)電平,并且必須將溫度特性保持在高穩(wěn)定性.
為了滿足這些高難度要求,NDK晶振是第一家通過使用內(nèi)部生產(chǎn)的高質(zhì)量合成石英并使用我們自己的光刻處理技術(shù)高精度處理晶體毛坯的QualcommSoC智能手機(jī)的認(rèn)證商.
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Modelname |
NX1612SD |
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Dimensions |
1.6x1.2x0.65mm |
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Nominal Frequency |
76.8MHz |
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Frequency Tolerance(+25+/-3degC) |
-10to+22ppm |
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Frequency/Temperature Characteristics (-30to+85degC) |
+/-12ppm |
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Operating Temperature Range/Storage TemperatureRange |
-30to+105degC/-40to+105degC |
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Equivalent Series Resistance |
Max.30Ω |
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Load Capacitance |
7pF |
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Temperature Resistance(at+25degC) |
100KΩ+/-1% |
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TemperatureB-Constant(+25/+50degC) |
4250K+/-1% |
事實(shí)證明,5G通信方面的發(fā)展?jié)摿κ欠浅＞薮蟮?/span>,各晶振廠家在這方面目前投入在未來將會(huì)收到很豐厚的回饋;據(jù)我國(guó)工信部前幾日公告稱,我國(guó)5G終端連接數(shù)已超過2億,且1月至11月國(guó)內(nèi)市場(chǎng)5G手機(jī)出貨量大1.44億部,新增基站58萬(wàn)個(gè),建成共享5G基站33萬(wàn);并且這還是5G基建,未來還會(huì)融合眾多產(chǎn)業(yè).
并且這還僅僅是我國(guó)的狀況,雖然我國(guó)5G建設(shè)暫時(shí)領(lǐng)先于世界各國(guó),但是全球范圍內(nèi)建設(shè)5G網(wǎng)絡(luò)是必然的趨勢(shì).未來5G通信石英晶振產(chǎn)品的需求量,性能等將會(huì)急速上升.
NDK為高通公司研發(fā)的熱敏晶振NX1612SD實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)!
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