50倍,主要應(yīng)用于精密電子溫度計(jì),精密溫度控制器,溫度-頻率(T/f)轉(zhuǎn)換器." />

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你了解微型溫度傳感器晶體RKTV206嗎?

返回列表 來(lái)源:金洛鑫 瀏覽:- 發(fā)布日期:2023-06-27 09:33:58【

微型溫度傳感器晶體RKTV206直徑僅為2毫米,可實(shí)現(xiàn)高分辨率的溫度精確測(cè)量。它是一種特殊設(shè)計(jì)的音叉晶體,共振頻率在32 kHz至36 kHz范圍內(nèi),溫度系數(shù)約為‐51.8 ppm/K @ 25°C。與參考晶體RKOV206相結(jié)合,通過(guò)使用外差原理,總溫度系數(shù)可以增加> 50倍。

RKTV206的主要特點(diǎn)有:

-寬工作溫度范圍- 50°C至+180°C(標(biāo)準(zhǔn)),可選高達(dá)+ 320°C

-高分辨率低至µK范圍

-由于熱質(zhì)量低,時(shí)間常數(shù)短

-高抗沖擊和抗振動(dòng)性

-微縮尺寸(直徑2毫米)

典型的應(yīng)用有:

-精密電子溫度計(jì)

-精密溫度控制器

-溫度-頻率(T/f)轉(zhuǎn)換器

優(yōu)于其他溫度傳感器的優(yōu)點(diǎn)是,它允許將溫度直接轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)(頻率),可以由微控制器直接處理。

包裝:

RKTV206采用圓柱形金屬包裝,直徑為2毫米,長(zhǎng)度為6毫米。封裝采用高溫焊料密封(標(biāo)準(zhǔn))。對(duì)于高溫選項(xiàng),采用激光焊接。

圖片

溫度傳感器晶體RKTV206頻率溫度特性

溫度傳感器晶體RKTV206顯示諧振頻率對(duì)溫度T的單調(diào)響應(yīng),如下圖(藍(lán)點(diǎn)和虛線)所示。

2

它可以用這個(gè)方程近似表示:fT (T) ? f 0 ? a1 ?(T ?T0) ? a2 ?(T ?T0 ) 2

fT = crystal frequency at temperature T (in °C) 

f0 = crystal frequency at reference temperature T0,  here 32720 Hz 

T0 = reference temperature T0 = 0°C

a1 = (‐1.76±0.1) Hz/K 

a2 = (‐0.00310±0.0001) Hz/K2   

為了在寬溫度范圍內(nèi)獲得更高的精度,建議使用三階多項(xiàng)式近似:fT (T) ? f 0 ? a1 ?(T ?T0) ? a2 ?(T ?T0 ) 2 ? a3 ?(T ?T0 ) 3

參考晶體RKOV206是一種音叉晶體,其頻率對(duì)溫度的依賴性很小。f(T)響應(yīng)如上圖虛線所示。它可以用方程來(lái)描述:fref (T) ? f 0 ref ? a2 ?(T ?T0 ) 2

fref = crystal frequency at temperature T (in °C) 

f0ref = crystal frequency at reference temperature T0, here 33225 Hz

T0 = reference temperature T0 = (25±5)°C 

a2 = (‐0.00120±0.0001) Hz/K2  

如果參考晶體RKOV206與傳感器晶體RKTV206結(jié)合使用,則兩種晶體成對(duì)使用,頻率差約為550 Hz @ 25°C。

如果兩個(gè)晶體處于相同的溫度下,產(chǎn)生的頻率差RKTV206和RKOV206之間的拍頻(拍頻)如上圖所示(綠色虛線)。溫頻率的溫度系數(shù)下圖所示。比單獨(dú)使用RKTV頻率的溫度系數(shù)(25℃時(shí))高15倍。

3

                                                RKTV和RKOV之間拍頻的溫度系數(shù)

這兩個(gè)晶體可以在一個(gè)合適的振蕩器電路中單獨(dú)操作。有兩種推薦的電路,“皮爾斯”振蕩器與一個(gè)邏輯逆變器門(mén),和Heegner電路,它使用兩個(gè)串聯(lián)的邏輯逆變器。

Pierce oscillator circuit 基本電路如下圖所示

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需要電阻RGK來(lái)線性化逆變器柵極的傳輸特性。對(duì)于HCMOS邏輯門(mén),其典型值約為1 ~ 10 M。需要串聯(lián)電阻RV來(lái)保護(hù)晶體免受過(guò)大的晶體電流過(guò)載,這可能導(dǎo)致晶體的永久性損壞。取值范圍為47k ~ 470k。由于該電阻器會(huì)降低環(huán)路增益,因此必須仔細(xì)選擇。CX1和CX2電容的工作范圍為4.7 pF ~ 10pf。晶體端子和振蕩器電路之間的線路必須短(幾厘米),對(duì)地和兩線之間的電容必須低。

雙逆變器(Heegner)電路

該電路基本上由串聯(lián)的兩個(gè)邏輯逆變器門(mén)組成,晶體插在第二逆變器的輸出到第一逆變器的輸入之間。這種電路允許用比皮爾斯振蕩器稍長(zhǎng)的引線連接晶體。

在下圖的實(shí)際電路中,插入了額外的元件,以避免過(guò)載或損壞石英晶體和雜散振蕩。

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                                                                              雙逆變器(Heegner)振蕩器電路

二極管D1和D2是肖特基型,如BAS40‐04或類(lèi)似的。

其他組件的建議值為:

RF1 = RF2 = 300 k?      R1 = 5.1 k?          C1 = 10 pF             C2 = 470 pF

這些值僅供參考,可能需要根據(jù)所使用的邏輯門(mén)進(jìn)行修改。

外差(混頻)電路

為了產(chǎn)生拍頻,RKTV和RKOV振蕩器的輸出信號(hào)必須連接到混頻器上。輸出必須用角頻率約為2 ~ 3khz的合適低通濾波器濾波。

如下圖所示,混合可以通過(guò)使用四極NAND集成電路的數(shù)字混頻器來(lái)完成。

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原理圖中顯示的R1 - C1低通僅是象征性的,可能無(wú)法提供足夠的濾波。或者,混合可以由微控制器中的軟件直接執(zhí)行。

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