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SITIME晶振MEMS技術(shù)計(jì)時(shí)領(lǐng)域的顛覆者如何超越石英鐘表

2026-01-19 09:41:59 金洛鑫電子

SITIME晶振MEMS技術(shù)計(jì)時(shí)領(lǐng)域的顛覆者如何超越石英鐘表

在探討計(jì)時(shí)技術(shù)的演進(jìn)時(shí),SITIME晶振MEMS技術(shù)無疑是一個(gè)閃耀的新星.MEMS,即微機(jī)電系統(tǒng)(Micro-Electro-MechanicalSystems),它是一種將微電子技術(shù)與機(jī)械工程融合在一起的新興技術(shù).SITIME公司將這一前沿技術(shù)運(yùn)用到晶振領(lǐng)域,帶來了計(jì)時(shí)功能的重大變革,這也使得它與傳統(tǒng)的石英鐘表計(jì)時(shí)方式形成了鮮明的對比.石英鐘表在過去的很長時(shí)間里,一直是計(jì)時(shí)領(lǐng)域的中流砥柱.從我們家中常見的石英掛鐘,到手腕上精準(zhǔn)跳動(dòng)的石英手表,其計(jì)時(shí)原理基于石英晶體的壓電效應(yīng).當(dāng)給石英晶體施加電壓時(shí),它會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng),而這種振動(dòng)的頻率非常穩(wěn)定,利用這一特性便可以實(shí)現(xiàn)計(jì)時(shí)功能.然而,石英鐘表并非完美無缺.在面對復(fù)雜多變的環(huán)境時(shí),它的計(jì)時(shí)穩(wěn)定性就會(huì)受到挑戰(zhàn).例如,當(dāng)環(huán)境溫度發(fā)生較大變化時(shí),石英晶體的物理特性會(huì)隨之改變,導(dǎo)致振動(dòng)頻率產(chǎn)生偏差,進(jìn)而影響計(jì)時(shí)的準(zhǔn)確性,也就是我們常說的溫漂現(xiàn)象.此外,石英鐘表的抗震性也相對較差,受到一定程度的撞擊后,內(nèi)部結(jié)構(gòu)可能會(huì)受損,計(jì)時(shí)精度同樣會(huì)大打折扣.

再看SITIME晶振MEMS技術(shù),它從根本上改變了計(jì)時(shí)的方式.MEMS晶振采用硅基材料,通過先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝構(gòu)建出微小的諧振器.這種諧振器能夠產(chǎn)生極為穩(wěn)定的振蕩信號(hào),為精確計(jì)時(shí)提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ).與石英鐘表相比,MEMS晶振在計(jì)時(shí)功能上展現(xiàn)出諸多優(yōu)勢.首先,在溫度穩(wěn)定性方面,MEMS晶振幾乎不受溫度變化的影響,能夠在很寬的溫度范圍內(nèi)保持極高的計(jì)時(shí)精度,有效避免了溫漂問題,這使得它在各種極端環(huán)境下都能可靠地工作.其次,MEMS晶振的抗震性能卓越,由于其采用了堅(jiān)固的硅基結(jié)構(gòu),能夠承受更大的沖擊力和振動(dòng),大大降低了因外界物理沖擊而導(dǎo)致計(jì)時(shí)誤差的風(fēng)險(xiǎn).

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石英鐘表計(jì)時(shí)功能的局限溫漂問題顯著

石英晶振對溫度極為敏感.在不同溫度下,其頻率穩(wěn)定性欠佳,容易產(chǎn)生較大的漂移.這是因?yàn)槭⒕w的物理特性會(huì)隨溫度變化而改變,導(dǎo)致振蕩頻率出現(xiàn)偏差.在高溫環(huán)境下,石英晶振的原子振動(dòng)加劇,使得其固有頻率發(fā)生變化,從而影響計(jì)時(shí)的準(zhǔn)確性.這種溫漂問題在一些對時(shí)間精度要求較高的應(yīng)用場景中,如航空航天,通信基站等,會(huì)帶來嚴(yán)重的影響.例如,在航空導(dǎo)航系統(tǒng)中,若石英鐘表因溫漂產(chǎn)生的計(jì)時(shí)誤差較大,可能會(huì)導(dǎo)致飛機(jī)的定位出現(xiàn)偏差,危及飛行安全.據(jù)相關(guān)研究數(shù)據(jù)表明,普通石英晶振在溫度變化10℃時(shí),頻率漂移可能達(dá)到幾十ppm(百萬分之一),這意味著在長時(shí)間運(yùn)行后,計(jì)時(shí)誤差會(huì)逐漸累積,變得不容忽視.

品質(zhì)參差不齊

石英晶振的生產(chǎn)過程半自動(dòng)化半人工,這使得其品質(zhì)受管理水平的影響較大.不同廠家甚至同一廠家不同批次的產(chǎn)品,在品質(zhì)上都難以保證高度的一致性.從原材料的選取到切割,打磨,封裝等工藝環(huán)節(jié),任何一個(gè)步驟出現(xiàn)偏差,都可能導(dǎo)致最終產(chǎn)品的品質(zhì)差異.一些小廠家由于生產(chǎn)設(shè)備落后,工藝控制不嚴(yán)格,生產(chǎn)出的石英晶振雜質(zhì)含量較高,內(nèi)部晶格結(jié)構(gòu)不夠穩(wěn)定,從而影響其振蕩頻率的穩(wěn)定性和可靠性.在實(shí)際應(yīng)用中,這可能導(dǎo)致使用石英晶振的電子設(shè)備出現(xiàn)計(jì)時(shí)不準(zhǔn),工作不穩(wěn)定等問題.比如,一些廉價(jià)的石英手表,使用一段時(shí)間后就會(huì)出現(xiàn)走時(shí)偏差較大的情況,很大程度上就是因?yàn)槠洳捎玫氖⒕д衿焚|(zhì)不佳.

抗震性能欠佳

石英晶振內(nèi)部的結(jié)構(gòu)較為脆弱,對機(jī)械應(yīng)力非常敏感.當(dāng)受到震動(dòng)時(shí),內(nèi)部的晶體結(jié)構(gòu)容易發(fā)生微小的位移或變形,進(jìn)而影響計(jì)時(shí)的準(zhǔn)確性.在一些振動(dòng)環(huán)境較為復(fù)雜的場合,如工業(yè)生產(chǎn)現(xiàn)場,汽車發(fā)動(dòng)機(jī)艙等,石英鐘表的計(jì)時(shí)功能往往難以穩(wěn)定發(fā)揮.以汽車電子晶振系統(tǒng)為例,車輛在行駛過程中會(huì)不斷受到路面顛簸帶來的震動(dòng),若其中的石英晶振抗震性能不足,就可能導(dǎo)致車輛的電子時(shí)鐘,導(dǎo)航系統(tǒng)等出現(xiàn)計(jì)時(shí)錯(cuò)誤,影響駕駛者的使用體驗(yàn)和行車安全.即使是日常生活中的一些輕微碰撞,也可能對石英晶振的計(jì)時(shí)精度產(chǎn)生一定的影響,使得石英鐘表需要頻繁校準(zhǔn)時(shí)間.

生產(chǎn)周期漫長

石英晶振的生產(chǎn)流程復(fù)雜,涵蓋切割,打磨,組裝等多步工藝.每一個(gè)環(huán)節(jié)都需要精細(xì)的操作和嚴(yán)格的質(zhì)量控制,這導(dǎo)致其生產(chǎn)周期相對較長.從原材料加工到最終成品出廠,往往需要數(shù)周甚至數(shù)月的時(shí)間.在面對市場需求的突然變化或緊急訂單時(shí),這種漫長的生產(chǎn)周期使得廠家難以快速響應(yīng),無法靈活滿足客戶的交付需求.這在一定程度上限制了石英晶振在一些對交付時(shí)間要求緊迫的領(lǐng)域的應(yīng)用,如新興的電子產(chǎn)品快速迭代的市場中,產(chǎn)品更新?lián)Q代速度極快,若采用石英晶振,可能會(huì)因?yàn)槠渖a(chǎn)周期長而錯(cuò)過最佳的上市時(shí)機(jī).

SITIME晶振MEMS技術(shù)的卓越表現(xiàn)

全溫范圍精準(zhǔn)穩(wěn)定MEMS硅晶振的一大突出優(yōu)勢在于其在全溫度范圍內(nèi)的卓越表現(xiàn).與石英晶振不同,MEMS硅晶振幾乎不存在溫漂問題.這是因?yàn)樗捎玫墓杌牧虾拖冗M(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,使其對溫度變化具有很強(qiáng)的抵抗力.無論是在酷熱的沙漠環(huán)境,溫度高達(dá)50℃以上,還是在寒冷的極地地區(qū),溫度低至-40℃以下,MEMS硅晶振都能保持穩(wěn)定的振蕩頻率,為電子設(shè)備提供精準(zhǔn)可靠的計(jì)時(shí)信號(hào).相關(guān)測試數(shù)據(jù)顯示,在-40℃到125℃的寬溫度范圍內(nèi),MEMS硅晶振的頻率漂移可控制在極小的范圍內(nèi),遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于石英晶振在相同溫度區(qū)間的漂移量.這使得它在一些對溫度穩(wěn)定性要求極高的應(yīng)用中,如衛(wèi)星通信設(shè)備晶振系統(tǒng),高端醫(yī)療設(shè)備等,成為了理想的選擇.在衛(wèi)星通信中,衛(wèi)星需要在極端的太空溫度環(huán)境下工作,MEMS硅晶振能夠確保通信設(shè)備的時(shí)鐘穩(wěn)定,保障數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和可靠性.

品質(zhì)高度統(tǒng)一

SITIME晶振MEMS技術(shù)采用標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝,這使得生產(chǎn)過程具有高度的可控性.從原材料的選取到芯片的制造,封裝,每一個(gè)環(huán)節(jié)都遵循嚴(yán)格的半導(dǎo)體生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn),大大減少了人為因素對產(chǎn)品品質(zhì)的影響.與石英晶振半自動(dòng)化半人工的生產(chǎn)方式相比,MEMS硅晶振的不良率極低,可達(dá)到百萬分之0.1以下,而石英晶振的不良率通常在百萬分之50-150之間.這意味著使用MEMS硅晶振的電子設(shè)備在品質(zhì)上更加可靠,出現(xiàn)故障的概率更低.在大規(guī)模生產(chǎn)電子產(chǎn)品時(shí),如智能手機(jī),平板電腦等,MEMS硅晶振高度統(tǒng)一的品質(zhì)能夠確保每一臺(tái)設(shè)備的性能穩(wěn)定一致,提高產(chǎn)品的整體質(zhì)量和用戶體驗(yàn).同時(shí),低不良率也降低了生產(chǎn)廠家的售后維護(hù)成本,提高了生產(chǎn)效率.

超強(qiáng)抗震能力

MEMS硅晶振對振動(dòng)和沖擊的敏感度極低,這得益于其堅(jiān)固的硅基結(jié)構(gòu)和先進(jìn)的制造工藝.它能夠承受高達(dá)1000G的沖擊和2000Hz的振動(dòng),而不會(huì)對其計(jì)時(shí)精度產(chǎn)生明顯影響.相比之下,石英晶振由于內(nèi)部結(jié)構(gòu)脆弱,在受到較小的振動(dòng)和沖擊時(shí)就可能出現(xiàn)頻率偏差.這種超強(qiáng)的抗震能力使得MEMS硅晶振在一些振動(dòng)環(huán)境復(fù)雜的領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用.例如,在汽車電子中,車輛在行駛過程中會(huì)不斷受到路面顛簸帶來的振動(dòng),MEMS硅晶振能夠穩(wěn)定地為汽車的發(fā)動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng),安全氣囊系統(tǒng),導(dǎo)航系統(tǒng)等提供準(zhǔn)確的時(shí)鐘信號(hào),確保這些系統(tǒng)的正常運(yùn)行.在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備晶振中,MEMS硅晶振也能在高振動(dòng)的工作環(huán)境下可靠工作,保障生產(chǎn)線的穩(wěn)定運(yùn)行.

快速交付優(yōu)勢

SiTime公司擁有獨(dú)特的生產(chǎn)和供應(yīng)模式.通過備全系列空白片庫存,并利用專用的編程設(shè)備對CMOS內(nèi)部的PLL進(jìn)行編程,SiTime能夠在24小時(shí)內(nèi)提供符合客戶需求的時(shí)鐘產(chǎn)品.這種快速交付的能力對于一些對時(shí)間要求緊迫的項(xiàng)目來說至關(guān)重要.在電子產(chǎn)品快速迭代的市場環(huán)境下,新產(chǎn)品的研發(fā)周期越來越短,企業(yè)需要能夠快速響應(yīng)的供應(yīng)商.SiTime的MEMS硅晶振正好滿足了這一需求,客戶可以在短時(shí)間內(nèi)獲得所需的晶振,加快產(chǎn)品的研發(fā)和上市速度.對于一些緊急訂單,SiTime也能迅速做出反應(yīng),及時(shí)供貨,避免因晶振供應(yīng)不足而導(dǎo)致項(xiàng)目延誤.

MEMS技術(shù)實(shí)現(xiàn)的創(chuàng)新功能

支持復(fù)雜架構(gòu)的多時(shí)鐘輸出在數(shù)據(jù)中心等復(fù)雜的系統(tǒng)架構(gòu)中,AI/ML卸載引擎的應(yīng)用越來越廣泛.這些卸載引擎需要精確的計(jì)時(shí)來安排工作負(fù)載和保持?jǐn)?shù)據(jù)集的正確性和連貫性.SiTime的網(wǎng)絡(luò)同步器在其中發(fā)揮了關(guān)鍵作用,它能夠?yàn)閺?fù)雜架構(gòu)提供多個(gè)時(shí)鐘輸出.以SiTime的SiT95148為例,其具備4個(gè)輸入和11個(gè)輸出,時(shí)鐘輸出頻率高達(dá)2GHz,還集成了相位抖動(dòng)可編程PLL環(huán)路帶寬,范圍從1mHz至4KHz,并且支持?jǐn)?shù)字頻率控制.這種強(qiáng)大的功能可以滿足不同組件對時(shí)鐘信號(hào)的多樣化需求,確保整個(gè)系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運(yùn)行.在一個(gè)包含多個(gè)處理器,FPGA和存儲(chǔ)設(shè)備的數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中,網(wǎng)絡(luò)同步器可以為每個(gè)組件提供獨(dú)立且精準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào),使它們能夠協(xié)同工作,避免因時(shí)鐘不同步而導(dǎo)致的數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤和系統(tǒng)性能下降.

適應(yīng)惡劣環(huán)境的穩(wěn)定時(shí)鐘

在一些特殊的應(yīng)用場景中,如電信設(shè)備,會(huì)面臨快速溫度變化和氣流等惡劣環(huán)境條件.SiTime的Super-TCXO則展現(xiàn)出了出色的應(yīng)對能力,能夠在這樣的環(huán)境下提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào).像SiT5501這款Super-TCXO晶振,具有±10ppb的穩(wěn)定性和±0.5ppb/°C的溫度系數(shù),以及2x10-11的Allan偏差,工作溫度范圍可達(dá)-40°C至105°C.在電信基站中,設(shè)備可能會(huì)在短時(shí)間內(nèi)經(jīng)歷較大的溫度變化,同時(shí)還會(huì)受到散熱風(fēng)扇產(chǎn)生的氣流影響.Super-TCXO能夠在這種情況下保持穩(wěn)定的頻率輸出,確?;驹O(shè)備的正常運(yùn)行,避免因時(shí)鐘不穩(wěn)定而導(dǎo)致的通信中斷,信號(hào)失真等問題,滿足電信設(shè)備對高品質(zhì)石英晶振時(shí)鐘的嚴(yán)格要求,保障通信服務(wù)的質(zhì)量和可靠性.

助力高精度定位與導(dǎo)航

在現(xiàn)代的定位和導(dǎo)航系統(tǒng)中,高精度的時(shí)間信號(hào)是實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)定位的關(guān)鍵因素之一.當(dāng)GPS信號(hào)不可用時(shí),系統(tǒng)需要依賴本地振蕩器來保持精確時(shí)間,以確保定位和導(dǎo)航功能的持續(xù)運(yùn)行.MEMS硅晶振在這方面發(fā)揮了重要作用,它在寬溫度范圍內(nèi)能夠提供±1.5ppm至±50ppb的頻率穩(wěn)定性.在城市高樓林立的環(huán)境中,GPS信號(hào)容易受到遮擋而減弱或中斷,此時(shí)MEMS硅晶振可以作為備用時(shí)鐘源,為定位系統(tǒng)提供穩(wěn)定的時(shí)間基準(zhǔn).通過與慣性導(dǎo)航系統(tǒng)等其他技術(shù)相結(jié)合,MEMS硅晶振能夠幫助設(shè)備在GPS信號(hào)缺失的情況下,依然保持較為準(zhǔn)確的位置和方向信息,保障用戶的導(dǎo)航體驗(yàn),在智能交通,無人機(jī)飛行等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值.

MEMS技術(shù)的廣泛應(yīng)用前景

數(shù)據(jù)中心的AI/ML卸載引擎在當(dāng)今數(shù)字化時(shí)代,數(shù)據(jù)中心承擔(dān)著海量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),處理和傳輸任務(wù),而AI/ML(人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí))應(yīng)用程序在數(shù)據(jù)中心的運(yùn)行中變得越來越重要.為了提高計(jì)算效率,許多數(shù)據(jù)中心開始部署AI/ML卸載引擎,將復(fù)雜的計(jì)算任務(wù)從主處理器中分離出來,交給專門的硬件設(shè)備進(jìn)行處理.MEMS技術(shù)在數(shù)據(jù)中心的AI/ML卸載引擎中發(fā)揮著關(guān)鍵作用.以SiTime的網(wǎng)絡(luò)同步器為例,它為復(fù)雜的架構(gòu)提供多個(gè)時(shí)鐘輸出,滿足了不同組件對時(shí)鐘信號(hào)的多樣化需求.在一個(gè)典型的數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中,包含多個(gè)處理器,FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)和存儲(chǔ)設(shè)備,這些組件需要精確的時(shí)鐘信號(hào)來協(xié)調(diào)工作,確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確傳輸和處理.網(wǎng)絡(luò)同步器能夠?yàn)槊總€(gè)組件提供獨(dú)立且精準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào),使它們能夠高效協(xié)同工作,避免因時(shí)鐘不同步而導(dǎo)致的數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤和系統(tǒng)性能下降.例如,在進(jìn)行大規(guī)模數(shù)據(jù)分析時(shí),AI/ML算法需要對大量的數(shù)據(jù)進(jìn)行快速處理,MEMS晶振提供的穩(wěn)定時(shí)鐘信號(hào)能夠保證處理器和FPGA等設(shè)備在高速運(yùn)行時(shí)的準(zhǔn)確性,提高數(shù)據(jù)分析的效率和精度,從而為企業(yè)提供更有價(jià)值的決策支持.

軍事與國防領(lǐng)域的應(yīng)用

軍事和國防領(lǐng)域?qū)τ?jì)時(shí)精度和穩(wěn)定性有著極高的要求,任何微小的計(jì)時(shí)誤差都可能導(dǎo)致嚴(yán)重的后果.傳統(tǒng)的石英晶振在面對復(fù)雜的軍事環(huán)境時(shí),存在諸多弱點(diǎn),如易受溫度,振動(dòng)和沖擊的影響,難以滿足軍事和國防系統(tǒng)對計(jì)時(shí)的嚴(yán)苛要求.MEMS技術(shù)的出現(xiàn)為軍事與國防領(lǐng)域帶來了新的解決方案.MEMS硅晶振具有出色的抗沖擊和抗振動(dòng)能力,能夠承受高達(dá)30,000G的沖擊,這使得它在軍事裝備的劇烈運(yùn)動(dòng)和振動(dòng)環(huán)境中依然能夠保持穩(wěn)定的計(jì)時(shí)性能.例如,在戰(zhàn)斗機(jī),導(dǎo)彈等高速飛行的武器裝備中,設(shè)備會(huì)受到強(qiáng)大的氣流沖擊和機(jī)械振動(dòng),MEMS硅晶振能夠穩(wěn)定地為這些裝備的導(dǎo)航系統(tǒng),火控系統(tǒng)等提供準(zhǔn)確的時(shí)鐘信號(hào),確保武器的精確制導(dǎo)和有效打擊.同時(shí),MEMS硅晶振在寬溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定性也使其適用于各種極端環(huán)境,無論是在高溫的沙漠地區(qū)還是寒冷的極地,都能可靠地工作,為軍事行動(dòng)提供可靠的時(shí)間基準(zhǔn).此外,MEMS硅晶振的小型化和低功耗晶振特點(diǎn),也符合軍事裝備對尺寸,重量和功耗的嚴(yán)格要求,便于集成到各種小型化的軍事設(shè)備中,提高裝備的整體性能和作戰(zhàn)能力.

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消費(fèi)電子與物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備

在消費(fèi)電子和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備領(lǐng)域,MEMS技術(shù)同樣展現(xiàn)出了巨大的優(yōu)勢.隨著智能儀表,可穿戴產(chǎn)品等設(shè)備的普及,用戶對這些設(shè)備的計(jì)時(shí)性能和功能集成度提出了更高的要求.在智能儀表中,如智能電表,智能水表等,準(zhǔn)確的計(jì)時(shí)是實(shí)現(xiàn)能源計(jì)量和數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕A(chǔ).MEMS硅晶振的高精度和穩(wěn)定性能夠確保智能儀表在長時(shí)間運(yùn)行過程中保持精確的計(jì)時(shí),為能源管理和計(jì)費(fèi)提供可靠的數(shù)據(jù)支持.同時(shí),其高度集成化的特點(diǎn)可以使智能儀表在有限的空間內(nèi)集成更多的功能,如數(shù)據(jù)存儲(chǔ),無線通信等,實(shí)現(xiàn)智能化管理和遠(yuǎn)程監(jiān)控.對于可穿戴產(chǎn)品,如智能手表,智能手環(huán)等,MEMS硅晶振不僅提供了精準(zhǔn)的計(jì)時(shí)功能,還為其豐富的健康監(jiān)測和運(yùn)動(dòng)追蹤功能提供了有力支持.在智能手表中,MEMS硅晶振可以為心率傳感器,加速度計(jì),陀螺儀等各種傳感器提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),確保這些傳感器能夠準(zhǔn)確地采集數(shù)據(jù),實(shí)現(xiàn)對用戶運(yùn)動(dòng)狀態(tài),睡眠質(zhì)量,心率變化等健康信息的精準(zhǔn)監(jiān)測和分析.此外,MEMS硅晶振的低功耗特性也有助于延長可穿戴設(shè)備的電池續(xù)航時(shí)間,提升用戶體驗(yàn).在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中,MEMS硅晶振能夠滿足眾多設(shè)備對時(shí)鐘信號(hào)的需求,實(shí)現(xiàn)設(shè)備之間的精準(zhǔn)同步和高效通信,推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用.
SITIME晶振MEMS技術(shù)計(jì)時(shí)領(lǐng)域的顛覆者如何超越石英鐘表

SG-8018CG 32.5140M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

32.514 MHz

CMOS

SG-8018CG 12.7000M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

12.7 MHz

CMOS

SG-8018CG 133.302860M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

133.30286 MHz

CMOS

SG-8018CG 26.296750M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

26.29675 MHz

CMOS

SG-8018CG 45.4545M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

45.4545 MHz

CMOS

SG-8018CG 31.3500M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

31.35 MHz

CMOS

SG-8018CG 12.2727M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

12.2727 MHz

CMOS

SG-8018CG 12.8800M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

12.88 MHz

CMOS

SG-8018CG 132.8130M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

132.813 MHz

CMOS

SG-8018CG 4.096250M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

4.09625 MHz

CMOS

SG-8018CG 97.2000M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

97.2 MHz

CMOS

SG-8018CG 0.7990M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

799 kHz

CMOS

SG-8018CG 32.1060M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

32.106 MHz

CMOS

SG-8018CG 23.0140M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

23.014 MHz

CMOS

SG-8018CG 16.3840M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

16.384 MHz

CMOS

SG-8018CG 50.1100M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

50.11 MHz

CMOS

SG-8018CG 18.0224M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

18.0224 MHz

CMOS

SG-8018CG 16.3860M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

16.386 MHz

CMOS

SG-8018CG 53.0000M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

53 MHz

CMOS

SG-8018CG 56.6500M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

56.65 MHz

CMOS

SG-8018CG 13.553750M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

13.55375 MHz

CMOS

SG-8018CG 45.0000M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

45 MHz

CMOS

SG-8018CG 100.0100M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

100.01 MHz

CMOS

SG-8018CG 93.7500M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

93.75 MHz

CMOS

SG-8018CG 19.2840M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

19.284 MHz

CMOS

SG-8018CG 139.2460M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

139.246 MHz

CMOS

SG-8018CG 100.0500M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

100.05 MHz

CMOS

SG-8018CG 19.4444M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

19.4444 MHz

CMOS

SG-8018CG 26.8300M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

26.83 MHz

CMOS

SG-8018CG 32.7500M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

32.75 MHz

CMOS

SG-8018CG 135.2650M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

135.265 MHz

CMOS

SG-8018CG 27.000625M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

27.000625 MHz

CMOS

SG-8018CG 138.7000M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

138.7 MHz

CMOS

SG-8018CG 32.2500M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

32.25 MHz

CMOS

SG-8018CG 137.5000M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

137.5 MHz

CMOS

SG-8018CG 0.9000M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

900 kHz

CMOS

SG-8018CG 56.4480M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

56.448 MHz

CMOS

SG-8018CG 26.9900M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

26.99 MHz

CMOS

SG-8018CG 120.9600M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

120.96 MHz

CMOS

SG-8018CG 14.089190M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

14.08919 MHz

CMOS

SG-8018CG 32.507936M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

32.507936 MHz

CMOS

SG-8018CG 100.0400M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

100.04 MHz

CMOS

SG-8018CG 19.6870M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

19.687 MHz

CMOS

SG-8018CG 44.5450M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

44.545 MHz

CMOS

SG-8018CG 4.9150M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

4.915 MHz

CMOS

SG-8018CG 4.3000M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

4.3 MHz

CMOS

SG-8018CG 32.5140M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

32.514 MHz

CMOS

SG-8018CG 55.5555M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

55.5555 MHz

CMOS

SG-8018CG 50.0080M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

50.008 MHz

CMOS

SG-8018CG 23.8040M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

23.804 MHz

CMOS

SG-8018CG 121.0000M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

121 MHz

CMOS

SG-8018CG 27.0016M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

27.0016 MHz

CMOS

SG-8018CG 148.2200M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

148.22 MHz

CMOS

SG-8018CG 99.9300M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

99.93 MHz

CMOS

SG-8018CG 14.0500M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

14.05 MHz

CMOS

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EPSON

SG-8018

XO

98.765 MHz

CMOS

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EPSON

SG-8018

XO

46.49596 MHz

CMOS

SG-8018CG 50.0025M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

50.0025 MHz

CMOS

SG-8018CG 64.5160M-TJHSA0

EPSON

SG-8018

XO

64.516 MHz

CMOS

SG-8018CG 0.7840M-TJHPA0

EPSON

SG-8018

XO

784 kHz

CMOS

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