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GTXO-253T晶振,Golledge有源晶振,2520貼片晶振,進(jìn)口TCXO振蕩器,低功耗晶振

頻率：10.0 ~ 52.0MHz

尺寸：2.5 x 2.0 x 0.8 mm

GTXO-253T晶振,Golledge有源晶振,2520貼片晶振,進(jìn)口TCXO振蕩器,低功耗晶振 GTXO - 253T 是 Golledge 出品的進(jìn)口 2520 貼片有源晶振，屬于 TCXO 振蕩器。它能輸出精準(zhǔn)穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)，憑借先進(jìn)的溫度補(bǔ)償技術(shù)，可有效應(yīng)對(duì)溫度變化，確保頻率穩(wěn)定。低功耗特性使其在運(yùn)行過程中能耗更低，能延長(zhǎng)設(shè)備續(xù)航、減少發(fā)熱。適用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、可穿戴設(shè)備等對(duì)空間和功耗有嚴(yán)格要求的電子設(shè)備，是提升設(shè)備性能和節(jié)能的理想選擇。

訂購熱線：0755-27837162

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GTXO-253T晶振,Golledge有源晶振,2520貼片晶振,進(jìn)口TCXO振蕩器,低功耗晶振

在當(dāng)今對(duì)電子設(shè)備性能與能耗要求日益嚴(yán)苛的時(shí)代，Golledge 的 GTXO - 253T 晶振脫穎而出。這是一款進(jìn)口的 2520 貼片式 TCXO（溫補(bǔ)晶體振蕩器）有源晶振，超小的 2520 封裝設(shè)計(jì)，高度契合現(xiàn)代電子產(chǎn)品小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)，能輕松適配各種緊湊的電路板。

作為貼片型TCXO振蕩器，它具備先進(jìn)的溫度補(bǔ)償技術(shù)。無論外界環(huán)境溫度如何變化，都能敏銳感知并迅速調(diào)整，確保輸出頻率的高度穩(wěn)定。其有源設(shè)計(jì)保證了能穩(wěn)定且精準(zhǔn)地輸出時(shí)鐘信號(hào)，為電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行奠定基礎(chǔ)。

值得一提的是，它還是一款低功耗晶振。在保障高性能的同時(shí)，有效降低了能耗，延長(zhǎng)了設(shè)備的續(xù)航時(shí)間，減少了發(fā)熱，提高了設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、可穿戴設(shè)備等對(duì)空間和功耗要求極高的領(lǐng)域。

GTXO - 253T 是 Golledge 出品的進(jìn)口 2520 貼片有源晶振，屬于 TCXO 振蕩器。它能輸出精準(zhǔn)穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)，憑借先進(jìn)的溫度補(bǔ)償技術(shù)，可有效應(yīng)對(duì)溫度變化，確保頻率穩(wěn)定。低功耗特性使其在運(yùn)行過程中能耗更低，能延長(zhǎng)設(shè)備續(xù)航、減少發(fā)熱。適用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、可穿戴設(shè)備等對(duì)空間和功耗有嚴(yán)格要求的電子設(shè)備，是提升設(shè)備性能和節(jié)能的理想選擇。

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tp22png GTXO-253T晶振,Golledge有源晶振,2520貼片晶振,進(jìn)口TCXO振蕩器,低功耗晶振

頻率范圍	10.0 ~ 52.0兆赫
尺寸	2.5 x 2.0 x 0.8 毫米
儲(chǔ)存溫度范圍	-40 至 +85°C
電源電壓穩(wěn)定性	±0.2 頁/分鐘DD 系列±5%
負(fù)載穩(wěn)定性	±0.2 頁/分鐘L±10%
頻率斜率	±0.05ppm/°C 超過 -30+85°C
老化	第一年最高 ±1.0ppm
電源電流	最大 1.5~2.0mA
輸出波形	削波正弦，0.8V p-p，+DC 偏移
試驗(yàn)載荷（ZL)	10kΩ // 10pF
啟動(dòng)時(shí)間	最大 3ms
諧波	最大 -5dBc
相位噪聲	-130dBc/Hz @ 1kHz
頻率容差 @ 25°C	最大 ±2.0ppm，回流焊后 60 分鐘

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tp33 GTXO-253T晶振,Golledge有源晶振,2520貼片晶振,進(jìn)口TCXO振蕩器,低功耗晶振

GTXO-253T晶振,Golledge有源晶振,2520貼片晶振,進(jìn)口TCXO振蕩器,低功耗晶振

所有石英晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

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