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KDS晶振,DST1610A貼片諧振器,1TJH125DR1A0004晶體

頻率:32.768KHZ

尺寸:1.6*1.0mm

32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體振蕩器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷振蕩器外殼更好的耐沖擊性.
訂購熱線:0755-27837162
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      KDS晶振,DST1610A貼片諧振器,1TJH125DR1A0004晶體,KDS大真空晶振以優(yōu)良的產(chǎn)品迅速占領(lǐng)了中國市場,KDS晶振品牌以在國內(nèi)電子元件中深入民心,KDS晶振以專業(yè)化系統(tǒng)在全國各地的工廠生產(chǎn).KDS以高超的生產(chǎn)技術(shù),一流的生產(chǎn)設(shè)備,KDS晶振產(chǎn)品價格 “更便宜,更快,更好的產(chǎn)品”,節(jié)省勞動力,自動化生產(chǎn)設(shè)施的優(yōu)勢,以滿足交貨時間和需求是你選擇KDS品牌最佳的或者伙伴.
        KDS晶振,DST1610A貼片諧振器,1TJH125DR1A0004晶體,KDS還擁有遍布全球的銷售網(wǎng)絡(luò),另外在大陸地區(qū)有極少數(shù)的代理商.深圳市金洛電子有限公司是其較早的代理,該司在上海、深圳、蘇州和香港以及美國等地設(shè)有辦事機構(gòu),能快速準(zhǔn)確的為客戶提供高品質(zhì)的KDS產(chǎn)品以及優(yōu)質(zhì)的服務(wù),在行業(yè)內(nèi)有一定的知名度.自從1993年在天津投產(chǎn)以來,技術(shù)更新從未間斷,從最初的32.768K晶振為主,到現(xiàn)在以小體積貼片石英晶振,石英晶體振蕩器為主,體積已經(jīng)是全世界OSC振蕩器之中最小的.

     KDS晶振,DST1610A貼片諧振器,1TJH125DR1A0004晶體,32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體振蕩器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷振蕩器外殼更好的耐沖擊性.
     KDS晶振,DST1610A貼片諧振器,1TJH125DR1A0004晶體,石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。


項目
  型名 DST1610A DST1610AL DST210AC
周波數(shù)範(fàn)囲 32.768kHz
負(fù)荷容量  12.5pF
勵振レベル 0.1μW (0.5μW max.)
周波數(shù)許容偏差 ±20×10−6(at 25℃)
直列抵抗 50kΩ max. 80kΩ max.
頂點溫度 +25℃±5℃
二次溫度係數(shù) −0.04×10−6/℃ 2 max.
動作溫度範(fàn)囲 −40 ~ +85℃
保存溫度範(fàn)囲 −40 ~ +85℃
並列容量 1.6pF typ. 1.3pF typ. 1.2pF typ. 1.3pF typ.
梱包単位 (1) 3000pcs/reel (φ180)

DST1610A 1610

1.電源旁路電容在使用晶振時應(yīng)注意以下事項:

1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英貼片晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.KDS晶振,DST1610A貼片諧振器,1TJH125DR1A0004晶體.
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射.
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電

過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.

DST1610A DST1610AL DST210AC 11

設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
        驅(qū)動能力說明石英晶振單元所需電功率,其計算公式如下:
        驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
        其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,
        Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

sjzrhl_1

2.振蕩補償
       除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

sjzrhl_2

3.負(fù)載電容
        如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致KDS晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達式 CL≒CG×CD/(CG+CD)+CS。
        其中CS表示電路的雜散電容。

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頻率和負(fù)載電容特征圖器

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RB-6

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