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熱門關(guān)鍵詞 : 石英晶體諧振器進(jìn)口晶振精工晶振京瓷晶振西鐵城晶振鴻星晶振石英晶振加高晶振希華晶振NDK晶振村田晶振

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IDT晶振,XO晶振,8N4Q001晶振

頻率:15.476MHz~1300.000MHz

尺寸:7.0*5.0*1.5mm

用于輸出時(shí)鐘頻率和內(nèi)部PLL控制寄存器•頻率編程分辨率為435.9Hz÷N•一個(gè)2.5V,3.3V LVDS時(shí)鐘輸出•兩個(gè)用于上電默認(rèn)頻率的控制輸入•LVCMOS / LVTTL兼容控制輸入•RMS相位抖動(dòng)@ 156.25 MHz(12kHz - 20MHz).
訂購(gòu)熱線:0755-27837162
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IDT-1

IDT領(lǐng)先的串行RapidIO®,PCI Express®,電源管理,和先進(jìn)的時(shí)機(jī)解決方案包括網(wǎng)絡(luò)同步產(chǎn)品超越競(jìng)爭(zhēng),使客戶開發(fā)最先進(jìn)的系統(tǒng)。IDT以其有源晶振和行業(yè)領(lǐng)先的時(shí)間組合來(lái)處理汽車應(yīng)用。IDT在德國(guó)的全資子公司- IDT歐洲有限公司(前身為ZMD AG)運(yùn)營(yíng)其卓越的汽車中心。本公司卓越的子公司/中心是ts - 16949,根據(jù)iso26262的標(biāo)準(zhǔn),支持功能性安全要求。
由于微電子器件的功率耗散,熱能的管理很重要,可以從任何電子產(chǎn)品中獲得最好的性能。一種微電子設(shè)備的工作溫度決定了石英晶體振蕩器產(chǎn)品的速度和可靠性。IDT開發(fā)了與數(shù)字系統(tǒng)相結(jié)合的半導(dǎo)體解決方案,例如處理器和內(nèi)存,彼此之間,以及物理世界。在IDT,我們認(rèn)為作為一個(gè)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,我們?cè)诮鉀Q我們星球上一些最偉大的社會(huì)和環(huán)境挑戰(zhàn)方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。7050時(shí)鐘晶體振蕩器,進(jìn)口XO有源晶體,8N4Q001晶振
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IDT-2

IDT晶振,XO晶振,8N4Q001晶振.采用小型無(wú)鉛(RoHS 6)10引腳陶瓷5mm x 7mm x 1.55mm封裝封裝。除了由FSEL0和FSEL1引腳設(shè)置的四個(gè)默認(rèn)上電頻率之外,IDT8N4Q001可以通過(guò)I2C接口進(jìn)行編程,以15.476MHz至866.67MHz和975MHz至1,300MHz之間的時(shí)鐘頻率輸出,具有非常高的精確度頻率步長(zhǎng)為435.9Hz÷N(N為PLL輸出分頻器)。
由于FSEL0和FSEL1引腳被映射到四個(gè)獨(dú)立的PLL分頻器寄存器(P,MINT,MFRAC和N),因此支持在FSEL0和FSEL1控制下將這些寄存器重新編程到其他頻率。擴(kuò)展的溫度范圍支持無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施,電信和網(wǎng)絡(luò)終端設(shè)備要求。
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RB-2

IDT晶振

標(biāo)示

8N4Q001晶振

晶振基本信息對(duì)照表

標(biāo)準(zhǔn)范圍

f0

15.476MHz1300.000MHz

 

電源電圧

Vcc

2.5V、+2.8V、+3.3V

 

輸出電流

Icc

3.5 mA max.

Vcc=3.3V

頻率負(fù)載

L_CMOS

15pF

CMOS 出力

標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差

f_tol

±10×10-6 max.

初期偏差、
周波數(shù)溫度特性、
電源、負(fù)荷変動(dòng)特性、
経時(shí)変化(1年、+25℃時(shí))

輸出電壓

V

VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.

 

對(duì)稱

SYM

40%60%

50% Vcc

標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間

tr/tf

12 ns max.(1.880MHz)

10%Vcc90%、L_CMOS=15pF

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8N4Q001 7050 XO

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噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?;驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。IDT晶振,XO晶振,8N4Q001晶振
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近石英晶體振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加;因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的SMD振蕩器的產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。7050時(shí)鐘晶體振蕩器,進(jìn)口XO有源晶體,8N4Q001晶振
安裝方向
進(jìn)口晶體振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致六腳有源晶振無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。

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輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表

scbx_1

2.測(cè)試條件
(1)電源電壓
超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。IDT晶振,XO晶振,8N4Q001晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽,以觀察波形。
(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。)7050時(shí)鐘晶體振蕩器,進(jìn)口XO有源晶體,8N4Q001晶振

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3.測(cè)試電路

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wxewm

公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司

聯(lián)系人:茹紅青

手機(jī):13510569637

電話:0755-27837162

QQ號(hào):657116624

微信公眾號(hào):CITIZENCRYSTAL

搜狐公眾號(hào):晶振石英晶振NDK晶振

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金洛鑫產(chǎn)品系列

PRODUCT LINE

石英晶振
QuartzCrystal

貼片晶振
SMDcrystal

諧振器濾波器
Resonator

溫補(bǔ)晶振
TCXOcrystal

32.768K
32768Kcrystal

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AtomizationPiece

智能穿戴

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智能玩具

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