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Abracon晶振,貼片晶振,ABM8-166晶振,歐美晶振

頻率：114.285MNZ

尺寸：3.2*2.5*0.75mm

超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對應,小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.

訂購熱線：0755-27837162

Abracon公司成立于1992年，總部位于德克薩斯州的斯派伍德，是全球領先的被動和機電同步、同步、電力、連通性和射頻解決方案的進口晶振制造商。Abracon提供了廣泛的石英定時晶體和振蕩器，MEMS振蕩器，實時時鐘(RTC)，藍牙模塊，陶瓷諧振器，鋸濾器和諧振器，功率和射頻電感，變壓器，電路保護元件和射頻天線和無線充電線圈。
公司已通過iso9001 - 2008認證，并在德克薩斯州、加利福尼亞州、中國、臺灣、新加坡、蘇格蘭、以色列、匈牙利、英國、德國等地的德州和銷售辦事處獲得設計和應用工程資源。我們廣泛的產品線服務于商業(yè)、工業(yè)、消費者和選擇的軍事應用，并通過Abracon的全球晶振分銷網絡提供。

高穩(wěn)定性假貼片晶振,金屬封裝大型諧振器,ABLS晶振

Abracon晶振,貼片晶振,ABM8-166晶振,歐美晶振,3225mm體積貼片晶振適用于汽車電子領域的表面貼片型石英晶振,本產品已被確定的高信賴性最適合用于汽車電子部件,晶體在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.
石英晶振產品電極的設計：石英晶振產品的電極對于石英晶體元器件來講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波。第1、2、3項相對簡單，第4項的設計很關鍵，電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(如金、銀等)都會導致第4項的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對于晶片電極設計的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對晶振產品的影響的程度增大，故對電極的設計提出了更精準的要求。

Abracon晶振	單位	ABM8-166晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	114.285MNZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-50°C ～ +125°C	標準溫度
激勵功率	DL	10~100μW Max.	推薦:10~100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6 (標準)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.jftz888.com/
頻率溫度特征	f_tem	±20× 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	18pF	不同負載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±2× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

ABM8-166 3225

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無源黑色晶振產品的設計和生產直到出廠,都會經過嚴格的測試檢測來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質和可靠性,必須在適當?shù)臈l件下存儲,安裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導致的不良不負任何責任。Abracon晶振,貼片晶振,ABM8-166晶振,歐美晶振
所有產品的共同點:1：抗沖擊:抗沖擊是指歐美石英晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3：化學制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品。
4：粘合劑:請勿使用可能導致石英貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

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負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致歐美進口晶振振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。Abracon晶振,貼片晶振,ABM8-166晶振,歐美晶振

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測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過3225無源諧振器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.

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振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在小體積貼片晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過小型無源晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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