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西鐵城晶振,石英晶振,CMR250T晶振,圓柱音叉表晶

頻率：30~100KHZ

尺寸：2.0*6.0mm

引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉(cāng)庫(kù)長(zhǎng)時(shí)間大量庫(kù)存常用頻點(diǎn),高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻,常用負(fù)載電容.石英晶振,因插件型晶體成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力,主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無(wú)鉛.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

2060石英晶體諧振器,無(wú)源圓柱石英晶體,CMR250T晶振

CITIZEN西鐵城公司的前身為日本尚工舍時(shí)計(jì)研究所，創(chuàng)立于1918年，主要從事鐘表的開(kāi)發(fā)和制造，在1924年制造出第一只懷表。西鐵城表晶株式會(huì)社成立于1930年，在第二年（1931年）生產(chǎn)出第一只西鐵城牌手表。截止2010年底，已發(fā)展為以鐘表為主業(yè)，多種經(jīng)營(yíng)的集團(tuán)性跨國(guó)大公司，年銷售額約三十八億美元。西鐵城自成立以來(lái)，一直在鐘表行業(yè)處于領(lǐng)先地位，創(chuàng)造了諸多世界第一。
西鐵城在音叉晶體表晶振動(dòng)子（石英晶振）這一領(lǐng)域也是遙遙領(lǐng)先的，與日本元器件品牌愛(ài)普生晶振，日本精工晶振seiko,日本大真空KDS晶振,日本西鐵城石英晶振murata,并稱世界日產(chǎn)五大品牌。對(duì)于西鐵城晶振動(dòng)子,其要求相比其他各大品牌，工藝也是非常之嚴(yán)格，工藝上除清洗、被銀、點(diǎn)膠、微調(diào)、中測(cè)、封焊、檢漏、老化、測(cè)試、打標(biāo)、編帶、包裝等步驟外,選用的設(shè)備儀器其優(yōu)點(diǎn)有先進(jìn)性、功能性、適應(yīng)性和經(jīng)濟(jì)性,西鐵城推出3款適合時(shí)鐘上用的音叉表晶,CFS-308晶振,CFS-206晶振,CFS-145晶振。日本株式會(huì)社西鐵城晶振品牌【CITIZEN】，該品牌創(chuàng)立時(shí)間在1918年，早期主要研發(fā)與生產(chǎn)時(shí)計(jì)產(chǎn)品，在1959年西鐵城成功研發(fā)出防水，防振的手表，從此轟動(dòng)世界成為了個(gè)性時(shí)尚品牌.在1975年西鐵城會(huì)社成立了西鐵城株式會(huì)社水晶事業(yè)部，從此研發(fā)音叉型壓電石英水晶振動(dòng)子.2060石英晶體諧振器,無(wú)源圓柱石英晶體,CMR250T晶振

2060石英晶體諧振器,無(wú)源圓柱石英晶體,CMR250T晶振

西鐵城晶振,石英晶振,CMR250T晶振,圓柱音叉表晶,32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型晶體諧振器,手機(jī)晶體,產(chǎn)品體積小,特別適用于各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼產(chǎn)品,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振的切割設(shè)計(jì)：用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。2060石英晶體諧振器,無(wú)源圓柱石英晶體,CMR250T晶振

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西鐵城晶振	單位	CMR250T晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	30~100KHz	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C~+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	1.0μW Max.	推薦:1.0μW
頻率公差	f_— l	±30× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.jftz888.com/
頻率溫度特征	f_tem	±20× 10-6/-40°C~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12.5pF	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +85°C, DL =1.0μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6 /year Max.	+25°C,第一年

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所有產(chǎn)品的共同點(diǎn):1：抗沖擊抗沖擊是指無(wú)源晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。西鐵城晶振,石英晶振,CMR250T晶振,圓柱音叉表晶
4：粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)時(shí)鐘晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。6：靜電:過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
耐焊性：將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接音叉石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。2060石英晶體諧振器,無(wú)源圓柱石英晶體,CMR250T晶振

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驅(qū)動(dòng)能力:2.*6彎腳插件晶振驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。西鐵城晶振,石英晶振,CMR250T晶振,圓柱音叉表晶

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測(cè)試條件:(1) 電源電壓? 超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω(2) 其他:? 輸入插件型石英晶體電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他:? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）

振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝進(jìn)口彎腳晶振在電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)彎腳音叉晶振輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況，由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來(lái)測(cè)量。

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