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熱門關(guān)鍵詞 : 石英晶體諧振器進(jìn)口晶振精工晶振京瓷晶振西鐵城晶振鴻星晶振石英晶振加高晶振希華晶振NDK晶振村田晶振

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京瓷晶振,貼片晶振,ST2012SB晶振,ST2012SB32768H5WZZAP晶振

頻率:32.768KHz

尺寸:2.0*1.2*0.5mm

2012mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應(yīng)用到,手機(jī)藍(lán)牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.
訂購熱線:0755-27837162
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JC-1

        京瓷的全球業(yè)務(wù)提供各種各樣的產(chǎn)品,包括先進(jìn)的材料、部件、設(shè)備、設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)工程和其他服務(wù)。這種廣泛的專業(yè)知識(shí)使京瓷能夠在一個(gè)給定的32.768K晶振產(chǎn)品線中集成全過程,從開發(fā)和生產(chǎn)到銷售和物流。這種資源的有效利用產(chǎn)生了全群體協(xié)同效應(yīng),產(chǎn)生了卓越的性能、功能和價(jià)值的產(chǎn)品。我們與我們的商業(yè)伙伴合作,促進(jìn)企業(yè)社會(huì)責(zé)任,確保人權(quán)、勞工權(quán)利和環(huán)境在整個(gè)供應(yīng)鏈中得到保護(hù)。京瓷晶振,貼片晶振,ST2012SB晶振,ST2012SB32768H5WZZAP晶振
        根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標(biāo)和目標(biāo),同時(shí)促進(jìn)這些活動(dòng),并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進(jìn)。在我們的石英晶振環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團(tuán)隊(duì)工作的人,通過教育和提高意識(shí)來提高他們的環(huán)保意識(shí)。確保公眾環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的信息公開。通過適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。

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        京瓷晶振,貼片晶振,ST2012SB晶振,ST2012SB32768H5WZZAP晶振.貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
        京瓷石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù):貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。ST2012SB32768H5WZZAP晶振,智能手環(huán)晶振,ST2012SB晶振

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京瓷晶振

單位

ST2012SB晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40°C~+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C~+85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

0.1μW Max.

推薦:0.1μW

頻率公差

f_— l

±20× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.jftz888.com/

頻率溫度特征

f_tem

±20× 10-6/-40°C ~+85°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

7pF、9pF、12.5pF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C~+85°C, DL =0.1μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

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RB-3

ST2012sSB_2.0_1.2

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機(jī)械振動(dòng)的影響
        當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶體產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。ST2012SB32768H5WZZAP晶振,智能手環(huán)晶振,ST2012SB晶振
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
        (1)理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于音叉晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
        (2)在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。
        (3)在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。
        (4)請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲(chǔ)事項(xiàng)
        (1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存進(jìn)口貼片晶振產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長期儲(chǔ)藏。 
正常溫度和濕度: 
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請(qǐng)參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。京瓷晶振,貼片晶振,ST2012SB晶振,ST2012SB32768H5WZZAP晶振
        (2)請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。

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1、振蕩電路
32.768K石英晶振是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和
異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。京瓷晶振,貼片晶振,ST2012SB晶振,ST2012SB32768H5WZZAP晶振
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。
(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。
當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示
表1,即使在振蕩功率作用下,2012晶振也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

cptj1

晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。
的振蕩開始代替。在基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米。在
泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米。

cptj11

限制流入時(shí)鐘晶體諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于諧振器的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括
負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K。
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。

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公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司

聯(lián)系人:茹紅青

手機(jī):13510569637

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STDMUA8-32.768K,NX3215SA晶振,日產(chǎn)NDK音叉晶振,是智能穿戴,物聯(lián)網(wǎng)終端,智能家居設(shè)備的"計(jì)時(shí)心臟".32.768kHz的標(biāo)準(zhǔn)頻率完美匹配實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)模塊,NX3215SA的微型封裝可有效節(jié)省設(shè)備內(nèi)部空間,適配手環(huán),智能手表的輕薄化設(shè)計(jì),同時(shí)其優(yōu)異的抗干擾能力,能在智能家居控制器,物聯(lián)網(wǎng)傳感器的復(fù)雜電磁環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行,日產(chǎn)NDK的原廠工藝更保障了設(shè)備長期工作的計(jì)時(shí)精準(zhǔn)度,為各類便攜,低功耗智能設(shè)備提供可靠頻率支撐.
NX3215SA-32768K-STD-MUA-8,3215晶振,NX3215SA晶振
NX3215SA-32768K-STD-MUA-8,3215晶振,NX3215SA晶振
NX3215SA-32768K-STD-MUA-8,3215晶振,NX3215SA晶振,作為標(biāo)準(zhǔn)3215小尺寸晶振封裝晶振,屬于超小型化貼片封裝,相比傳統(tǒng)49S直插晶振體積縮減60%以上,能輕松適配智能手機(jī),智能手環(huán),無線耳機(jī)等對(duì)空間要求極高的小型化電子設(shè)備.此外,3215封裝采用貼片式設(shè)計(jì),兼容SMT全自動(dòng)貼片生產(chǎn)線,焊接時(shí)無需手動(dòng)插裝,焊接良率可達(dá)99.7%以上,顯著提升批量生產(chǎn)效率,降低人工成本;且貼片封裝的機(jī)械穩(wěn)定性更強(qiáng),焊接后能有效抵御設(shè)備振動(dòng),跌落帶來的接觸不良風(fēng)險(xiǎn),進(jìn)一步提升產(chǎn)品整體可靠性.
ELS13-32.768kHz-T,AEL石英晶體,儀表設(shè)備晶振,7015mm諧振器
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金洛鑫產(chǎn)品系列

PRODUCT LINE

石英晶振
QuartzCrystal

貼片晶振
SMDcrystal

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Resonator

溫補(bǔ)晶振
TCXOcrystal

32.768K
32768Kcrystal

霧化片
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智能穿戴

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智能玩具

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