愛普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,（32.768KHZ）系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應(yīng)用范圍也比較廣闊,所有的時(shí)記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列石英晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域.是對應(yīng)陶瓷晶振（偏差大）和通常的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領(lǐng)域的一種性價(jià)比出色的產(chǎn)品.最適用于HDD, SSD, USB數(shù)碼產(chǎn)品,播放器、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、移動電話等.等用途.

      愛普生株式會社愛普生拓優(yōu)科夢,（EPSON — YOCOM）1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)貼片振蕩器,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).

      EPSON晶體,有源晶振,SG-770SCD晶振,X1G0023510013晶振,超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì)：石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動，面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強(qiáng)，從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問題，公司在此方面通過理論與實(shí)踐相結(jié)合，模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。

      貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品石英晶振被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
TCO-7107	24.704000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
TCO-7107	23.688000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
TCO-7107	30.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
TCO-7107	50.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	0 to 70 °C	+/-100 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
SG-770SCD	156.250000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	0 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-770SCD	187.500000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	0 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-770SCD	125.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG-770SCD	62.500000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0003710005	TCO-7107	24.704000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0003710007	TCO-7107	23.688000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0003710010	TCO-7107	30.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-100 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0003710011	TCO-7107	50.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.20 mm	CMOS	0 to 70 °C	+/-100 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0023510013	SG-770SCD	156.250000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	0 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0023510014	SG-770SCD	187.500000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	0 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0023510019	SG-770SCD	125.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0023510026	SG-770SCD	62.500000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.80 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 90.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %

       每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)所有進(jìn)口振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。未用輸入終端的處理:未用針腳可能會引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。

       同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開時(shí),電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的貼片進(jìn)口晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.EPSON晶體,有源晶振,SG-770SDD晶振,X1G0023610004晶振

       石英晶振自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。

       晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。EPSON晶體,有源晶振,SG-770SCD晶振,X1G0023510013晶振

      適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過有源晶體振蕩器測量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

       負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致平板電腦晶體振蕩器振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

       驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明7050有源晶振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流.

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