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愛普生晶振,差分晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振

頻率:125.000MHz

尺寸:3.2*2.5*1.05mm

差分晶振具有低電平,低功耗等功能,低電流電壓可達(dá)到低值2.5V, 工作電壓在2.5V-3.3V,低抖動差分晶振是目前行業(yè)中具有高要求,高技術(shù)的石英晶體振蕩器,差分晶振相位低,低損耗等特點, 差分晶振的頻率相對都比較高,比如從50MHz起可以做到700MHz.
訂購熱線:0755-27837162

           愛普生品牌系列千赫子的石英貼片晶振,目前占據(jù)了中國市場進(jìn)口晶25%的份額,品牌質(zhì)量,貨期,品種,品質(zhì)是廣大用戶有目共睹,從MC-146晶振最早期從MP4,MP3收音機(jī)模塊啟用開始,在到國內(nèi)外各大知名品牌手機(jī),最后應(yīng)用到國內(nèi)山寨手機(jī)市場,幾乎占據(jù)80%的手機(jī)行業(yè)晶振類別,產(chǎn)品本身特點是體積小,耐高溫,穩(wěn)定性能高,排帶包裝,應(yīng)用自動貼片方便.
           愛普生拓優(yōu)科夢(Epson Toyocom)是精工愛普生株式會社與愛普生(中國)有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司(外商合資).目前注冊資本2500萬美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事壓電石英晶振系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來西亞量產(chǎn).蘇州愛普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振為輔.愛普生晶振,差分晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振

       愛普生晶振,差分晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振.差分石英晶體振蕩器、差分晶振使用于網(wǎng)絡(luò)路由器、SATA,光纖通信,10G以太網(wǎng)、超速光纖收發(fā)器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備中.網(wǎng)絡(luò)設(shè)備對高標(biāo)準(zhǔn)參考時鐘的需求尤其突出,要求做為系統(tǒng)性能重要參數(shù)的相位抖動具備低抖動特征.使用于產(chǎn)品中能夠很容易地識別小信號,能夠從容精確地處理'雙極'信號,對外部電磁干擾(EMI)是高度免疫的.差分石英晶振滿足市場需求,實現(xiàn)高頻高精度等要求,更加保障了各種系統(tǒng)參考時鐘的可靠性.
      有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計匹配技術(shù):有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計等其它的特殊性,必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關(guān)參數(shù)。

愛普生溫補晶振規(guī)格

SG3225VAN晶振

溫補晶振頻率

73.500MHz~700.000MHz

常用標(biāo)準(zhǔn)頻率

100MHz,125MHz,133MHz,156.25MHz,200MHz,700MHz

工作電壓

+2.5V~+3.3V (代表値) 
電源電圧は+2.5V+3.3V範(fàn)囲の任意の電圧で動作可能

靜態(tài)電流

(工作時)+1.2 mA max. (F15MHz) +1.4 mA max. (15F26MHz) 
+1.6 mA max. (F26MHz)(スタンバイ時)+1μA以下

TCXO輸出電壓

0.8Vp-p min.

TCXO輸出負(fù)載

10kΩ//10pF) ±10

常規(guī)溫度偏差

±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)

頻率溫度偏差

±30×10-6/-20℃~+70

±50×10-6/-40℃~+85℃(オプション)

X1G0042410001晶振系列原廠編碼:

Rearranges
Product Number
Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH
Rearranges Rearranges,Rearranges
Output Wave
Ope Temperature Rearranges
Freq. Tol.
Rearranges
I [Max]
Rearranges Rearranges,Rearranges
25°C Aging
Symmetry
X1G0042410001 SG3225VAN 125.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410002 SG3225VAN 125.006250 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410004 SG3225VAN 100.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410005 SG3225VAN 200.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410006 SG3225VAN 400.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410007 SG3225VAN 106.250000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410008 SG3225VAN 212.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410009 SG3225VAN 74.250000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410010 SG3225VAN 148.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410011 SG3225VAN 75.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410012 SG3225VAN 150.000000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410014 SG3225VAN 156.250000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410015 SG3225VAN 312.500000 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %
X1G0042410016 SG3225VAN 312.515625 MHz 3.20 x 2.50 x 1.20 mm LVDS -40 to 85 °C +/-50 ppm ≤ 30.0 mA +/-5ppm 45 to 55 %

SG3225VAN LVDS LVPECL

愛普生SG3225VAN差分晶振系列型號規(guī)格表:

SG3225VANFM

表面安裝型晶體單元的安裝

(1)嚴(yán)重的溫度變化
       在長時間和反復(fù)的嚴(yán)重溫度變化下焊料可能會破裂;這是由于擴(kuò)張造成的印刷線路板的溫度系數(shù)不同材料和表面貼裝型晶體陶瓷封裝。如果預(yù)期會出現(xiàn)這種情況并避免此類問題。
(2)自動安裝引起的沖擊
       請注意,在超小型石英晶振自動安裝過程中,此類過程作為吸附,夾緊或安裝到電路板上,可以對晶體單元施加太大的機(jī)械沖擊,并且電氣特性可能會改變或惡化。
(3)彎曲PC板引起的應(yīng)力
       如果3225車載振蕩器焊接到PC板后,則電路板是彎曲,機(jī)械應(yīng)力可能導(dǎo)致焊接部分剝離或晶體單元包裝破裂。
(4)接地端子
       如果晶體單元配有接地端子,請確保將其焊接到GND或電源端子。如果不是接地,可能無法獲得正確的頻率。
焊接和超聲波清洗
       晶體單元的焊接溫度條件是旨在允許同時處理其他電子元件,但取決于產(chǎn)品類型條件可能受到限制。確認(rèn)使用前的條件。基本上,超聲波清洗助焊劑允許,但在某些情況下,與振蕩共振超聲波清潔器的頻率可能會導(dǎo)致晶體單元的特性惡化。請檢查所有清潔前的條件。
腐蝕性物質(zhì)的影響
       當(dāng)晶體單元接觸鹽或腐蝕性材料或長期暴露于某些物質(zhì)這可能是氯化物或硫化物氣體等氣氛造成嚴(yán)重的缺陷,例如包裝失去其密封性由于腐蝕。選擇粘合劑或灌封時要特別小心用于晶體單元周邊的試劑。

             驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明LVDS晶振所需電功率,其計算公式如下:驅(qū)動能力 (P) = i2_Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

       1、振蕩電路:晶體諧振器是無源元件,因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此,在振蕩電路的設(shè)計中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后,后續(xù)的項目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。愛普生晶振,差分晶振,SG3225VAN晶振,X1G0042410001晶振
      2。角色的分量與參考值:在振蕩電路的設(shè)計中,必須認(rèn)識到個體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時,如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,差分晶體振蕩器也不會啟動振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會啟動。

        測試條件:(1) 電源電壓超過150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF.5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過差分晶振的放大器時,可同時進(jìn)行測量。(3) 其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線)


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