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WI2WI晶振,TV05晶振,TV05-12000X-WND3RX晶振

頻率:10~52MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.
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       WI2WI晶振,TV05晶振,TV05-12000X-WND3RX晶振, Wi2Wi的戰(zhàn)略目標(biāo)是通過(guò)提供端到端無(wú)線集成解決方案和高度可定制的定時(shí)和頻率控制設(shè)備來(lái)滿足每個(gè)客戶的獨(dú)特需求。威爾威晶振與商品級(jí)產(chǎn)品區(qū)別開來(lái),具有市場(chǎng)性能最佳,高可靠性,低功耗的無(wú)線連接產(chǎn)品,集成軟件支持更寬的溫度范圍和更長(zhǎng)的產(chǎn)品生命周期。此外,Wi2Wi' 端到端的產(chǎn)品解決方案可幫助客戶大幅降低最終產(chǎn)品費(fèi)用,認(rèn)證成本和整體研發(fā)投資,同時(shí)大幅縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。Wi2Wi晶振已與技術(shù),制造和銷售方面的全球頂級(jí)領(lǐng)導(dǎo)者建立了合作關(guān)系。公司在全球范圍內(nèi)使用廣泛的制造商代表網(wǎng)絡(luò)來(lái)推廣其產(chǎn)品和服務(wù),并與世界級(jí)經(jīng)銷商合作,以實(shí)現(xiàn)訂單和直接銷售.

         WI2WI晶振,TV05晶振,TV05-12000X-WND3RX晶振,WI2WI晶振是全球有名的頻率元件制造商,總部位于美國(guó)加利福尼亞州的圣何塞.威爾威晶振為用戶提供高品質(zhì),高性能WI2WI石英晶振,WI2WI貼片晶振,并且向全球市場(chǎng)提供無(wú)線連接解決方案開發(fā)商和制造商.

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        WI2WI晶振,TV05晶振,TV05-12000X-WND3RX晶振,貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊,主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大,用在電路中Q值過(guò)小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

Parameters Clipped Sinewave CMOS Units
Frequency Range *1 10.000000 to 52.000000  10.000000 to 52.000000 MHz
Parameter-Wi2Wi晶振 vs Temperature (Max.) Per Option Per Option ppm
vs Supply Voltage (Max.) ±0.2 ±0.2
vs Load (Max.) ±0.2 ±0.2
vs Aging (Max 1st year) ±1 ±1
Calibration (@ +25°C)
 1 Hour After Refow (Max)
±2 ±2
Frequency Stability  *1 Control Voltage Range 10 to 90 10 to 90 %Vcc
Pull Range ±5 to ±15 ±5 to ±15 ppm
Linearity (Max) 10 10 %
Input Impedance (Min) 100K 100K Ω
Modulation Bandwidth (@-3dB) 10.0 10.0 KHz
Temperature Range  *1 Operating  Per Option Per Option °C
Storage  -55 to +125  -55 to +125
Supply Voltage *1 Per Option Per Option V
Supply Current (Max) 5.0 10.0 mA
Waveform Clipped Sinewave
0.8V Peak to Peak Min
CMOS
Output  Low Level Output Voltage (Max) N/A 10 %Vcc
High Level output Voltage (Min) N/A 90 %Vcc
Duty Cycle (Max) N/A 40/60 %
Load 10 kΩ//10pF 15pF
Start Up Time (Maximum) 3.0 3.0 ms
Phase Noise (Typical) (For 26.0 MHz)  @ 100 Hz  -110 -110 dBc/Hz
 @ 1 kHz  -130 -130
 @ 10 kHz  -145 -145
 @ 100KHz -145 -145

TV05

抗沖擊
              晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
          暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶振性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。 WI2WI晶振,TV05晶振,TV05-12000X-WND3RX晶振.
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
          請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
          請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
          請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
         過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞有源晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。

TV05 11

JLX-6

RB-6

wxewm

公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司

聯(lián)系人:茹紅青

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Q33310F70024100,SG-310SCF晶振,XO晶體振蕩器,針對(duì)不同應(yīng)用環(huán)境的需求,愛普生有源晶振Q33310F70024100與SG-310SCF具備出色的工況適應(yīng)性.在溫度范圍上,能適應(yīng)室內(nèi)外溫差變化及工業(yè)環(huán)境高溫工況,在電壓穩(wěn)定性上,可在寬電壓范圍內(nèi)保持穩(wěn)定信號(hào)輸出,適配不同設(shè)備的供電需求,避免因電壓波動(dòng)導(dǎo)致的信號(hào)失真或中斷.同時(shí),通過(guò)優(yōu)化內(nèi)部電路設(shè)計(jì),降低等效串聯(lián)電阻與相位噪聲,減少信號(hào)傳輸損耗,確保高頻信號(hào)在長(zhǎng)距離傳輸或復(fù)雜電磁環(huán)境下仍能保持清晰,穩(wěn)定,保障設(shè)備數(shù)據(jù)處理與通信的準(zhǔn)確性.
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JLX-PD

金洛鑫產(chǎn)品系列

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