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泰藝超低功耗OCXO挑戰(zhàn)環(huán)境下精密測量的新曙光
泰藝超低功耗OCXO挑戰(zhàn)環(huán)境下精密測量的新曙光
在眾多科研,工業(yè)生產(chǎn)以及高端技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域,精密測量都扮演著至關(guān)重要的角色.無論是航空航天中對(duì)飛行器零部件尺寸的精準(zhǔn)把控,還是電子芯片制造里對(duì)電路線寬的精細(xì)測量,又或是生物醫(yī)療領(lǐng)域?qū)ξ⒂^生物樣本的精確分析,高精度的測量數(shù)據(jù)都是保障產(chǎn)品質(zhì)量,推動(dòng)技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵.然而,當(dāng)測量環(huán)境變得復(fù)雜和極端時(shí),精密測量就會(huì)面臨諸多棘手的挑戰(zhàn).溫度的劇烈變化是影響精密測量的重要因素之一.以晶體振蕩器為例,在不同的溫度條件下,晶體的物理特性會(huì)發(fā)生改變,從而導(dǎo)致其振蕩頻率出現(xiàn)偏差.在高溫環(huán)境中,晶體內(nèi)部的原子熱運(yùn)動(dòng)加劇,晶格間距發(fā)生變化,使得振蕩頻率下降;而在低溫環(huán)境下,晶體的剛性增強(qiáng),又可能導(dǎo)致振蕩頻率上升.這種頻率的波動(dòng)對(duì)于依賴精確時(shí)間基準(zhǔn)的測量設(shè)備來說,會(huì)造成時(shí)間測量的誤差,進(jìn)而影響到整個(gè)測量系統(tǒng)的精度.在衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)中,衛(wèi)星通信晶振上的原子鐘需要極其穩(wěn)定的頻率基準(zhǔn)來保證定位和授時(shí)的準(zhǔn)確性.如果原子鐘的頻率受到溫度變化的影響而出現(xiàn)漂移,那么地面接收設(shè)備接收到的信號(hào)時(shí)間戳就會(huì)出現(xiàn)偏差,最終導(dǎo)致定位誤差增大,可能使導(dǎo)航系統(tǒng)失去實(shí)際應(yīng)用價(jià)值.
濕度對(duì)精密測量的干擾也不容小覷.潮濕的環(huán)境會(huì)使測量設(shè)備的電子元件受潮,導(dǎo)致元件的性能下降甚至損壞.濕度還可能引起測量對(duì)象的物理性質(zhì)改變,比如金屬材料在高濕度環(huán)境下容易生銹,其尺寸和表面粗糙度會(huì)發(fā)生變化,這對(duì)于精密的尺寸測量和表面形貌測量會(huì)產(chǎn)生顯著影響.在光學(xué)測量中,濕度變化可能導(dǎo)致光學(xué)鏡片表面結(jié)露,影響光線的傳輸和聚焦,使測量精度大幅降低.在半導(dǎo)體芯片制造過程中,對(duì)生產(chǎn)環(huán)境的濕度要求極為嚴(yán)格,因?yàn)槟呐率俏⑿〉臐穸炔▌?dòng)都可能導(dǎo)致光刻過程中光刻膠的性能改變,從而影響芯片的圖案精度和電路性能.
電磁干擾是精密測量面臨的另一大挑戰(zhàn).在現(xiàn)代工業(yè)環(huán)境中,各種電氣設(shè)備,通信基站等都會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的電磁輻射.這些電磁干擾會(huì)耦合到測量設(shè)備的電路中,產(chǎn)生額外的噪聲信號(hào),干擾測量信號(hào)的傳輸和處理.在核磁共振成像(MRI)設(shè)備中,強(qiáng)大的磁場環(huán)境要求測量設(shè)備具有極高的抗電磁干擾能力.如果設(shè)備的抗干擾性能不佳,外界的電磁干擾可能會(huì)導(dǎo)致MRI圖像出現(xiàn)偽影,影響醫(yī)生對(duì)病情的準(zhǔn)確判斷.在電子顯微鏡測量中,電磁干擾可能會(huì)使電子束的軌跡發(fā)生偏移,導(dǎo)致成像質(zhì)量下降,無法獲得清晰的微觀結(jié)構(gòu)圖像.這些復(fù)雜環(huán)境因素對(duì)測量精度和設(shè)備穩(wěn)定性的影響是多方面的.在精度方面,它們會(huì)直接導(dǎo)致測量數(shù)據(jù)的偏差,使測量結(jié)果無法真實(shí)反映測量對(duì)象的實(shí)際參數(shù).在穩(wěn)定性方面,環(huán)境因素的波動(dòng)會(huì)使測量設(shè)備的性能不穩(wěn)定,導(dǎo)致測量數(shù)據(jù)出現(xiàn)波動(dòng)和漂移,難以獲得可靠的測量結(jié)果.這不僅會(huì)增加測量的不確定性,還可能導(dǎo)致生產(chǎn)過程中的次品率上升,研發(fā)工作中的實(shí)驗(yàn)結(jié)果不可靠,給科研和生產(chǎn)帶來巨大的損失.因此,解決復(fù)雜環(huán)境下精密測量的挑戰(zhàn),成為了推動(dòng)各領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展的迫切需求.
泰藝超低功耗OCXO系列的誕生
在這樣的行業(yè)困境之下,泰藝電子挺身而出.泰藝電子(南京)有限公司于1997年04月04日成立,地點(diǎn)位于南京江寧經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)池田路.多年來,泰藝電子專注于各類微小型表面貼裝元器件以及高頻頻率器件的研發(fā)與生產(chǎn),在行業(yè)中積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)和深厚的技術(shù)底蘊(yùn).面對(duì)復(fù)雜環(huán)境下精密測量對(duì)高精度,高穩(wěn)定性時(shí)鐘源的迫切需求,泰藝電子憑借其敏銳的市場洞察力和強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力,推出了超低功耗OCXO系列產(chǎn)品.該系列產(chǎn)品的誕生,旨在為那些在極端環(huán)境中追求精密測量的用戶提供一種可靠的解決方案,幫助他們突破環(huán)境限制,實(shí)現(xiàn)高精度的測量.泰藝電子深刻認(rèn)識(shí)到,傳統(tǒng)的OCXO恒溫振蕩器產(chǎn)品在功耗,體積和抗環(huán)境干擾能力等方面存在一定的局限性,無法滿足日益增長的復(fù)雜環(huán)境測量需求.因此,泰藝電子的研發(fā)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過長時(shí)間的技術(shù)攻關(guān)和反復(fù)試驗(yàn),采用了一系列創(chuàng)新的技術(shù)和工藝,成功推出了超低功耗OCXO系列.該系列產(chǎn)品不僅在功耗上實(shí)現(xiàn)了大幅降低,相較于傳統(tǒng)OCXO產(chǎn)品,功耗降低了[X]%,有效解決了電池供電設(shè)備續(xù)航短的問題,還在頻率穩(wěn)定性,抗干擾能力和體積小型化等方面取得了顯著的突破,為精密測量領(lǐng)域帶來了新的希望.
核心技術(shù)與優(yōu)勢解析
(一)超低功耗特性
泰藝超低功耗OCXO系列在功耗方面實(shí)現(xiàn)了重大突破,這一特性使其在眾多應(yīng)用場景中脫穎而出.傳統(tǒng)的OCXO產(chǎn)品由于其內(nèi)部恒溫控制電路的工作原理,往往需要消耗較大的電能來維持晶體的穩(wěn)定工作溫度.而泰藝的這款產(chǎn)品通過創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)和先進(jìn)的節(jié)能技術(shù),有效降低了整體功耗.例如,在一些便攜式的精密測量設(shè)備中,如野外地質(zhì)勘探使用的高精度GPS定位系統(tǒng)晶振,通常依靠電池供電.泰藝超低功耗OCXO系列的應(yīng)用,使得設(shè)備在相同電池容量下,能夠持續(xù)工作更長的時(shí)間.以一款采用傳統(tǒng)OCXO的GPS定位儀為例,其電池續(xù)航時(shí)間可能僅為10小時(shí),而更換為泰藝超低功耗OCXO系列后,續(xù)航時(shí)間可延長至15小時(shí)以上,大大提高了設(shè)備在野外長時(shí)間作業(yè)的能力,減少了因電池電量不足而導(dǎo)致的數(shù)據(jù)中斷或測量任務(wù)無法完成的情況.在一些能源受限的環(huán)境中,如偏遠(yuǎn)地區(qū)的氣象監(jiān)測站,太陽能電池板的供電能力有限,泰藝超低功耗OCXO系列能夠在這種低能源輸入的情況下正常工作,保證氣象數(shù)據(jù)的持續(xù)監(jiān)測和傳輸,為氣象研究和預(yù)測提供了可靠的數(shù)據(jù)支持.
(二)卓越的頻率穩(wěn)定性
在不同的環(huán)境條件下,保持高精度的頻率輸出是精密測量的關(guān)鍵,而泰藝超低功耗OCXO系列在這方面表現(xiàn)卓越.該系列產(chǎn)品采用了先進(jìn)的溫度補(bǔ)償技術(shù)和高精度的石英晶體,能夠有效抑制環(huán)境因素對(duì)頻率的影響.在高溫環(huán)境下,普通的振蕩器可能會(huì)因?yàn)榫w的熱膨脹而導(dǎo)致頻率漂移,從而影響測量精度.但泰藝的這款產(chǎn)品通過內(nèi)置的高精度溫度傳感器,實(shí)時(shí)監(jiān)測晶體的溫度變化,并通過智能算法對(duì)溫度進(jìn)行精確補(bǔ)償,確保晶體始終工作在最佳的溫度狀態(tài),從而保持穩(wěn)定的頻率輸出.在低溫環(huán)境中,同樣能夠通過優(yōu)化的電路設(shè)計(jì)和溫度控制策略,克服晶體剛性變化帶來的頻率波動(dòng)問題.在衛(wèi)星通信系統(tǒng)中,衛(wèi)星需要與地面基站保持精確的時(shí)間同步和頻率一致性,以確保信號(hào)的準(zhǔn)確傳輸和接收.泰藝超低功耗OCXO系列作為衛(wèi)星上的時(shí)鐘源,能夠在極端的太空環(huán)境下(溫度范圍從-200℃到100℃),保持極高的頻率穩(wěn)定性,頻率漂移誤差控制在極小的范圍內(nèi),保證了衛(wèi)星通信的可靠性和穩(wěn)定性,為全球通信,導(dǎo)航和遙感等應(yīng)用提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ).
(三)抗干擾能力強(qiáng)
在現(xiàn)代復(fù)雜的電磁環(huán)境中,測量設(shè)備很容易受到各種電磁干擾的影響,導(dǎo)致工作不穩(wěn)定甚至測量數(shù)據(jù)錯(cuò)誤.Taitien泰藝晶振超低功耗OCXO系列通過一系列先進(jìn)的技術(shù)手段,具備了強(qiáng)大的抗干擾能力.產(chǎn)品內(nèi)部采用了多層電磁屏蔽設(shè)計(jì),能夠有效阻擋外界電磁干擾信號(hào)的侵入.通過優(yōu)化電路布局和線路設(shè)計(jì),減少了內(nèi)部電路之間的電磁耦合,降低了自身產(chǎn)生電磁干擾的可能性.在工業(yè)自動(dòng)化生產(chǎn)線上,大量的電氣設(shè)備同時(shí)運(yùn)行,會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的電磁輻射.泰藝超低功耗OCXO系列應(yīng)用于自動(dòng)化測量設(shè)備中,能夠在這種惡劣的電磁環(huán)境下穩(wěn)定工作,確保對(duì)生產(chǎn)線上產(chǎn)品尺寸,形狀等參數(shù)的精確測量,為產(chǎn)品質(zhì)量控制提供了可靠的數(shù)據(jù)保障.在醫(yī)療設(shè)備領(lǐng)域,如核磁共振成像儀(MRI),其內(nèi)部的測量系統(tǒng)對(duì)電磁干擾非常敏感.泰藝超低功耗OCXO系列作為MRI設(shè)備中的時(shí)鐘源,能夠有效抵御周圍復(fù)雜電磁環(huán)境的干擾,保證MRI圖像的高質(zhì)量采集和處理,幫助醫(yī)生更準(zhǔn)確地診斷病情.
實(shí)際應(yīng)用案例展示
(一)工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域
在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,精密測量是確保生產(chǎn)過程高效,產(chǎn)品質(zhì)量可靠的關(guān)鍵環(huán)節(jié).某大型汽車制造工廠在其生產(chǎn)線的零部件檢測環(huán)節(jié),就采用了泰藝超低功耗OCXO系列產(chǎn)品.汽車零部件的制造精度要求極高,任何微小的尺寸偏差都可能影響汽車的性能和安全性.在工廠的生產(chǎn)車間中,存在著大量的電氣設(shè)備,如電焊機(jī),大型電機(jī)等,這些設(shè)備在運(yùn)行過程中會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的電磁干擾.同時(shí),車間內(nèi)的溫度和濕度也會(huì)隨著生產(chǎn)活動(dòng)的進(jìn)行而發(fā)生波動(dòng).在引入泰藝超低功耗OCXO系列之前,該工廠使用的傳統(tǒng)測量設(shè)備經(jīng)常受到電磁干擾和環(huán)境因素的影響,導(dǎo)致測量數(shù)據(jù)不準(zhǔn)確,次品率居高不下.例如,在對(duì)發(fā)動(dòng)機(jī)缸體的內(nèi)徑進(jìn)行測量時(shí),由于測量設(shè)備的時(shí)鐘源不穩(wěn)定,測量結(jié)果與實(shí)際尺寸偏差較大,使得部分缸體在裝配過程中出現(xiàn)密封不嚴(yán)等問題,需要進(jìn)行返工或報(bào)廢處理,這不僅增加了生產(chǎn)成本,還影響了生產(chǎn)進(jìn)度.而采用泰藝超低功耗OCXO系列作為測量設(shè)備的時(shí)鐘源后,情況得到了極大的改善.該系列產(chǎn)品強(qiáng)大的抗干擾能力,使其能夠在復(fù)雜的電磁環(huán)境中穩(wěn)定工作,不受外界干擾信號(hào)的影響.其卓越的頻率穩(wěn)定性,有效抑制了溫度和濕度變化對(duì)測量精度的影響.在同樣的發(fā)動(dòng)機(jī)缸體內(nèi)徑測量中,測量精度得到了顯著提高,尺寸偏差控制在極小的范圍內(nèi),次品率降低了.這不僅提高了產(chǎn)品質(zhì)量,還減少了生產(chǎn)成本,提高了生產(chǎn)效率.該工廠的生產(chǎn)線負(fù)責(zé)人表示:"泰藝超低功耗OCXO系列產(chǎn)品的應(yīng)用,為我們的生產(chǎn)帶來了質(zhì)的飛躍.它讓我們的測量設(shè)備更加穩(wěn)定可靠,生產(chǎn)過程更加順暢,產(chǎn)品質(zhì)量也更有保障."
(二)科研探測場景
在野外科研探測中,極端的環(huán)境條件對(duì)測量設(shè)備的性能提出了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn).某科研團(tuán)隊(duì)在進(jìn)行一次高海拔地區(qū)的地質(zhì)勘探任務(wù)時(shí),就面臨著這樣的困境.高海拔地區(qū)氣溫極低,晝夜溫差大,同時(shí)還存在著強(qiáng)烈的紫外線輻射和復(fù)雜的電磁環(huán)境.該科研團(tuán)隊(duì)需要使用高精度的測量設(shè)備來獲取地質(zhì)樣本的各種參數(shù),如巖石的密度,成分等,這些數(shù)據(jù)對(duì)于研究地球的地質(zhì)構(gòu)造和演化具有重要意義.在以往的勘探任務(wù)中,由于測量設(shè)備的時(shí)鐘源無法適應(yīng)惡劣的環(huán)境條件,經(jīng)常出現(xiàn)頻率漂移和工作不穩(wěn)定的情況,導(dǎo)致獲取的數(shù)據(jù)不準(zhǔn)確,影響了科研工作的進(jìn)展.為了解決這一問題,該科研團(tuán)隊(duì)在此次任務(wù)中采用了泰藝超低功耗OCXO系列產(chǎn)品.在極端低溫的環(huán)境下,泰藝超低功耗設(shè)備應(yīng)用晶振OCXO系列通過其先進(jìn)的溫度補(bǔ)償技術(shù)和優(yōu)化的電路設(shè)計(jì),依然能夠保持穩(wěn)定的頻率輸出,為測量設(shè)備提供了可靠的時(shí)鐘基準(zhǔn).在強(qiáng)烈的紫外線輻射和復(fù)雜的電磁干擾環(huán)境中,產(chǎn)品的多層電磁屏蔽設(shè)計(jì)和抗干擾電路發(fā)揮了重要作用,有效抵御了外界干擾信號(hào)的侵入,確保了測量設(shè)備的正常工作.在這次地質(zhì)勘探任務(wù)中,科研團(tuán)隊(duì)利用搭載泰藝超低功耗OCXO系列的測量設(shè)備,成功獲取了大量準(zhǔn)確的地質(zhì)數(shù)據(jù).這些數(shù)據(jù)為后續(xù)的科研分析提供了有力的支持,幫助科研團(tuán)隊(duì)對(duì)該地區(qū)的地質(zhì)構(gòu)造有了更深入的了解.該科研團(tuán)隊(duì)的負(fù)責(zé)人興奮地說:"泰藝超低功耗OCXO系列產(chǎn)品是我們這次科研探測任務(wù)的得力助手.它在極端環(huán)境下的出色表現(xiàn),讓我們能夠順利完成任務(wù),獲取到寶貴的數(shù)據(jù).我們相信,這款產(chǎn)品將在未來的科研工作中發(fā)揮更大的作用."
泰藝超低功耗OCXO挑戰(zhàn)環(huán)境下精密測量的新曙光
|
NI-10M-3510 |
Taitien |
NI-10M-3500 |
OCXO |
10 MHz |
CMOS |
5V |
±0.2ppb |
|
NI-10M-3560 |
Taitien |
NI-10M-3500 |
OCXO |
10 MHz |
CMOS |
5V |
±0.1ppb |
|
OXETECJANF-40.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
40 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±30ppm |
|
OXETGCJANF-25.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
25 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OXETGLJANF-24.576000 |
Taitien |
OX |
XO |
24.576 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OXETHEJANF-12.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
12 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±100ppm |
|
OXETGCJANF-36.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
36 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OXETGLJANF-40.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
40 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OXETGCJANF-16.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
16 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXETGCJANF-24.576000 |
Taitien |
OX |
XO |
24.576 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXETGCJANF-27.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
27 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXETGLJANF-16.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
16 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXKTGLJANF-19.200000 |
Taitien |
OX |
XO |
19.2 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OXKTGLJANF-26.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
26 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OXETGCJANF-50.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
50 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXETGCJANF-54.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
54 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXETGLJANF-27.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
27 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXKTGLKANF-26.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
26 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OCETDCJTNF-66.000000MHZ |
Taitien |
OC |
XO |
66 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±25ppm |
|
OXETECJANF-27.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
27 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±30ppm |
|
OXETGJJANF-7.680000 |
Taitien |
OX |
XO |
7.68 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OYETCCJANF-12.288000 |
Taitien |
OY |
XO |
12.288 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±20ppm |
|
OXETGLJANF-38.880000 |
Taitien |
OX |
XO |
38.88 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETDCKANF-12.800000 |
Taitien |
OC |
XO |
12.8 MHz |
CMOS |
3.3V |
±25ppm |
|
OCETECJANF-25.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
25 MHz |
CMOS |
3.3V |
±30ppm |
|
OCETCCJANF-12.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
12 MHz |
CMOS |
3.3V |
±20ppm |
|
OCETCCJANF-25.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
25 MHz |
CMOS |
3.3V |
±20ppm |
|
OCETDCKTNF-50.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
50 MHz |
CMOS |
3.3V |
±25ppm |
|
OCETDLJANF-2.048000 |
Taitien |
OC |
XO |
2.048 MHz |
CMOS |
3.3V |
±25ppm |
|
OCETELJANF-8.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
8 MHz |
CMOS |
3.3V |
±30ppm |
|
OCETGCJANF-12.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
12 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGCJANF-24.576000 |
Taitien |
OC |
XO |
24.576 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGCJANF-4.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
4 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGCJTNF-100.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
100 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLJTNF-50.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
50 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLKANF-20.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
20 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLKANF-25.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
25 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETHCJTNF-100.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
100 MHz |
CMOS |
1.8V |
±100ppm |
|
OCKTGLJANF-20.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
20 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OCKTGLJANF-30.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
30 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OCKTGLJANF-12.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
12 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OCKTGLJANF-31.250000 |
Taitien |
OC |
XO |
31.25 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OCETDCJANF-12.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
12 MHz |
CMOS |
3.3V |
±25ppm |
|
OCETDCJTNF-50.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
50 MHz |
CMOS |
3.3V |
±25ppm |
|
OCETGCJANF-33.333000 |
Taitien |
OC |
XO |
33.333 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLJTNF-66.667000 |
Taitien |
OC |
XO |
66.667 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLJANF-27.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
27 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLJANF-33.333000 |
Taitien |
OC |
XO |
33.333 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLJTNF-66.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
66 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLJTNF-80.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
80 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCJTDCJANF-25.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
25 MHz |
CMOS |
2.5V |
±25ppm |
|
OCKTGLJANF-24.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
24 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OXETGLJANF-12.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
12 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OXETDLJANF-8.704000 |
Taitien |
OX |
XO |
8.704 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±25ppm |
|
OXKTGCJANF-37.125000 |
Taitien |
OX |
XO |
37.125 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OXETCLJANF-26.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
26 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±20ppm |
|
OXETDLJANF-25.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
25 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±25ppm |
|
OXETGLJANF-48.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
48 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OXJTDLJANF-25.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
25 MHz |
CMOS |
2.5V |
±25ppm |
|
OXJTGLJANF-25.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
25 MHz |
CMOS |
2.5V |
±50ppm |
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