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PE5520JEW-125.0MDK晶振,進(jìn)口美國(guó)晶振,PECL輸出有源晶振,PE55J振蕩器,Pletronics晶體

頻率：125MHz

尺寸：5.00 x 3.20mm

PE5520JEW-125.0MDK晶振,進(jìn)口美國(guó)晶振,PECL輸出有源晶振,PE55J振蕩器,Pletronics晶體 PE5520JEW - 125.0MDK晶振采用先進(jìn)的制造工藝與高品質(zhì)材料，確保在 - 40℃至 + 85℃的寬溫度范圍內(nèi)，頻率穩(wěn)定性極高，頻率偏差能被嚴(yán)格控制在極小范圍。其PECL輸出特性，具備高速、低抖動(dòng)的優(yōu)勢(shì)，能夠滿足高速數(shù)據(jù)傳輸和處理系統(tǒng)對(duì)時(shí)鐘信號(hào)的嚴(yán)格要求。無(wú)論是在通信領(lǐng)域的高速網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，還是在工業(yè)自動(dòng)化的高端控制模塊中，PE5520JEW - 125.0MDK都能憑借其穩(wěn)定的性能，成為保障設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的核心元件。

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

JLX-1 PE5520JEW-125.0MDK晶振,進(jìn)口美國(guó)晶振,PECL輸出有源晶振,PE55J振蕩器,Pletronics晶體

PE5520JEW - 125.0MDK有源晶振憑借其125.0MHz的穩(wěn)定頻率和出色的PECL輸出性能，在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的適用性。在通信領(lǐng)域，它為5G基站、光通信設(shè)備等提供精確的時(shí)鐘同步信號(hào)，確保數(shù)據(jù)在高速傳輸過(guò)程中的準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性，助力構(gòu)建高效可靠的通信網(wǎng)絡(luò)。
在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，該Pletronics進(jìn)口晶振為高速運(yùn)轉(zhuǎn)的工業(yè)機(jī)器人、精密測(cè)量?jī)x器等提供穩(wěn)定的時(shí)鐘基準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)設(shè)備之間的精準(zhǔn)協(xié)同工作，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。在測(cè)試測(cè)量設(shè)備中，其高精度的時(shí)鐘輸出能夠滿足對(duì)時(shí)間和頻率測(cè)量的嚴(yán)格要求，提升測(cè)量的準(zhǔn)確性和可靠性。無(wú)論是前沿的通信技術(shù)、復(fù)雜的工業(yè)生產(chǎn)，還是精密的測(cè)試測(cè)量領(lǐng)域，PE5520JEW - 125.0MDK晶振都能憑借其精準(zhǔn)的頻率和穩(wěn)定的性能，成為各領(lǐng)域電子設(shè)備的可靠伙伴。
通過(guò)不斷優(yōu)化內(nèi)部電路和晶體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，有效降低了相位噪聲，提高了頻率精度。與市場(chǎng)上同類石英晶體振蕩器相比，PE5520JEW - 125.0MDK具有更高的性價(jià)比和更好的適應(yīng)性。Pletronics持續(xù)投入研發(fā)資源，對(duì)晶振的性能進(jìn)行優(yōu)化，使其憑借創(chuàng)新設(shè)計(jì)和卓越性能，引領(lǐng)著PECL輸出有源晶振的發(fā)展潮流，為電子設(shè)備制造商提供更優(yōu)質(zhì)、更高效的時(shí)鐘解決方案。

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Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Frequency Range 2	25	-	320	MHz
Frequency Stability 2 ± 20 = 20*, ± 25 = 44, ± 50 = 45	±20	-	±50	ppm
Operating Temperature Range 2	-10 -20 -40	-	+70 +70 +85	°C
Supply Voltage 1, 2 VCC	2.375	2.50	2.625	V
Supply Current ICC (Pin 1 open)	-	-	60 70	mA
Output Waveform	PECL輸出晶振
Output High Level VOH	1.475 1.415	1.55 1.55	1.62 1.64	V
Output Low Level VOL	0.69	0.80	0.88	V
Output TRISE and TFALL	-	-	0.5	ns
Start Up Time	-	-	10	ms
Duty Cycle	45	-	55	%
VDISABLE	-	-	0.3Vcc	V
VENABLE	0.7Vcc	-	-	V
Enable Time	-	-	2	ms
Disable Time	-	-	200	ns
Enable/Disable Internal Pull-up	30	70	150	KΩ
Output Leakage VOUT = VCC VOUT = 0V	- -10	-	+10 -	µA
Standby Current	-	-	15	µA
Jitter	-	0.1 0.03	-	ps
Jitter	-	0.8	-	ps
Phase Noise 10 Hz 100 Hz 1 kHz 10 kHz 100 kHz	-	-64 -98 -127 -142 -152	-	dBc/Hz
Storage Temperature Range	-55	-	+125	°C

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所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用石英晶體產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
6、靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

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